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Egyenes-Pörsök, F
1
Ergebnisse:
?
1
Growth of α- and β-Ga2O3 epitaxial layers on sapphire subst..:
Egyenes-Pörsök, F
;
Gucmann, F
;
Hušeková, K
...
Semiconductor Science and Technology. 35 (2020) 11 - p. 115002 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1088/..
1-1