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Galatage, R.
20
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OpenAccess-Volltexte (5)
Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
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1
Process Innovations for Future Technology Nodes with Back-S..:
, In:
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)
,
Kobrinsky, M.
;
Silva, J. D
;
Mannebach, E.
... - p. 1-4 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
2
Demonstration of a Stacked CMOS Inverter at 60nm Gate Pitch..:
, In:
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)
,
Radosavljevic, Marko
;
Huang, C.-Y.
;
Galatage, R.
... - p. 1-4 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
3
High quality interfacial layer formation for Si0.75Ge0.25 (..:
Siddiqui, S.
;
Galatage, R.
;
Zhao, W.
...
Microelectronic Engineering. 223 (2020) - p. 111219 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
Accumulation capacitance frequency dispersion of III-V meta..:
Galatage, R. V.
;
Zhernokletov, D. M.
;
Dong, H.
...
Journal of Applied Physics. 116 (2014) 1 - p. , 2014
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
5
Chemical and electrical characterization of the HfO2/InAlAs..:
Brennan, B.
;
Galatage, R. V.
;
Thomas, K.
...
Journal of Applied Physics. 114 (2013) 10 - p. , 2013
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
6
Surface and interfacial reaction study of InAs(100)-crystal..:
Zhernokletov, D. M.
;
Laukkanen, P.
;
Dong, H.
...
Applied Physics Letters. 102 (2013) 21 - p. , 2013
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
7
Indium diffusion through high-k dielectrics in high-k/InP s..:
Dong, H.
;
Cabrera, W.
;
Galatage, R. V.
...
Applied Physics Letters. 103 (2013) 6 - p. , 2013
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
8
Electrical and chemical characteristics of Al2O3/InP metal-..:
Galatage, R. V.
;
Dong, H.
;
Zhernokletov, D. M.
...
Applied Physics Letters. 102 (2013) 13 - p. , 2013
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
9
Gate-last TiN/HfO2 band edge effective work functions using..:
Hinkle, C. L.
;
Galatage, R. V.
;
Chapman, R. A.
...
Applied Physics Letters. 100 (2012) 15 - p. , 2012
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
10
On the calculation of effective electric field in In0.53Ga0..:
Sonnet, A. M.
;
Galatage, R. V.
;
Hurley, P. K.
...
Applied Physics Letters. 98 (2011) 19 - p. , 2011
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
11
Remote phonon and surface roughness limited universal elect..:
Sonnet, A.M.
;
Galatage, R.V.
;
Hurley, P.K.
...
Microelectronic Engineering. 88 (2011) 7 - p. 1083-1086 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
12
Effect of post deposition anneal on the characteristics of ..:
Galatage, R. V.
;
Dong, H.
;
Zhernokletov, D. M.
...
Applied Physics Letters. 99 (2011) 17 - p. , 2011
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
13
Interfacial oxygen and nitrogen induced dipole formation an..:
Hinkle, C. L.
;
Galatage, R. V.
;
Chapman, R. A.
...
Applied Physics Letters. 96 (2010) 10 - p. , 2010
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
14
Design and characterization of camptothecin gel for treatme..:
Galatage, Sunil T.
;
Hebalkar, Aditya S.
;
Gote, Raviraj V.
...
Future Journal of Pharmaceutical Sciences. 6 (2020) 1 - p. , 2020
Link:
https://doi.org/10.1186/..
?
15
(Invited) III-V/High-k Defects: DIGS vs. Border Traps:
Hinkle, Christopher L.
;
Galatage, Rohit V.
;
Dong, Hong
...
ECS Transactions. 53 (2013) 1 - p. 161-167 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1149/..
1-15