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Malinauskas, T.
148
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Online (148)
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Artikel (Online) (70)
Buchkapitel (Online) (2)
OpenAccess-Volltexte (76)
Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
Influence of matrix composition and its fluctuations on exc..:
Nargelas, S.
;
Talochka, Y.
;
Vaitkevičius, A.
...
Journal of Luminescence. 242 (2022) - p. 118590 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Stimulated emission threshold in thick GaN epilayers: inter..:
Nargelas, S.
;
Mickevičius, J.
;
Kadys, A.
..
Optics & Laser Technology. 134 (2021) - p. 106624 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Development of polarity inversion in a GaN waveguide struct..:
Kolenda, M.
;
Kezys, D.
;
Reklaitis, I.
...
Journal of Materials Science. 55 (2020) 26 - p. 12008-12021 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
4
Study of the electrical characteristics of CdZnTe Schottky ..:
Gaubas, E.
;
Ceponis, T.
;
Deveikis, L.
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 105 (2020) - p. 104705 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
A comparative study on atomic layer deposited oxide film mo..:
Reklaitis, I.
;
Radiunas, E.
;
Malinauskas, T.
...
Surface and Coatings Technology. 399 (2020) - p. 126123 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
Quasi-Phase-Matching Method Based on Coupling Compensation ..:
, In:
2019 21st International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON)
,
Petruskevicius, R.
;
Kezys, D.
;
Malinauskas, T.
.. - p. 1-3 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
7
Improvement of luminescence properties of InN by optimizati..:
Mickevičius, J.
;
Dobrovolskas, D.
;
Malinauskas, T.
...
Thin Solid Films. 680 (2019) - p. 89-93 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
8
Engineering of InN epilayers by repeated deposition of ultr..:
Mickevičius, J.
;
Dobrovolskas, D.
;
Steponavičius, T.
...
Applied Surface Science. 427 (2018) - p. 1027-1032 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Time of carrier escape and recombination coefficients in In..:
Reklaitis, I
;
Krencius, L
;
Malinauskas, T
...
Semiconductor Science and Technology. 34 (2018) 1 - p. 015007 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
10
Differential carrier lifetime in InGaN-based light-emitting..:
Reklaitis, I.
;
Nippert, F.
;
Kudžma, R.
...
Journal of Applied Physics. 121 (2017) 3 - p. , 2017
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
11
Study of recombination characteristics in MOCVD grown GaN e..:
Gaubas, E
;
Ceponis, T
;
Dobrovolskas, D
...
Semiconductor Science and Technology. 32 (2017) 12 - p. 125014 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
12
Molecular engineering of the hole-transporting material spi..:
Tomkute-Luksiene, D.
;
Daskeviciene, M.
;
Malinauskas, T.
...
RSC Advances. 6 (2016) 65 - p. 60587-60594 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1039/..
?
13
Light-induced reflectivity transients in black-Si nanoneedl..:
Ščajev, P.
;
Malinauskas, T.
;
Seniutinas, G.
...
Solar Energy Materials and Solar Cells. 144 (2016) - p. 221-227 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
14
Influence of metalorganic precursors flow interruption timi..:
Dmukauskas, M
;
Kadys, A
;
Malinauskas, T
...
Journal of Physics D: Applied Physics. 49 (2016) 50 - p. 505101 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
15
Optical and structural properties of BGaN layers grown on d..:
Kadys, A
;
Mickevičius, J
;
Malinauskas, T
...
Journal of Physics D: Applied Physics. 48 (2015) 46 - p. 465307 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1088/..
1-15