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Manifacier, J. C.
65
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1
Backgating effect in III–V MESFET's: A physical model:
Manifacier, J.C.
;
Ardebili, R.
Solid-State Electronics. 91 (2014) - p. 13-18 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Contact vs bulk effects in N-semi-insulating-N and P-semi-i..:
Manifacier, J.C.
Solid-State Electronics. 80 (2013) - p. 45-54 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Multiple steady state current–voltage characteristics in dr..:
Manifacier, J.C.
Solid-State Electronics. 54 (2010) 12 - p. 1511-1519 , 2010
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
Theoretical and numerical investigations of carriers transp..:
Manifacier, J.C.
Solid-State Electronics. 52 (2008) 8 - p. 1162-1169 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
High level injection phenomena in P–N junctions:
Manifacier, J. C.
;
Ardebili, R.
;
Popescu, C.
Journal of Applied Physics. 80 (1996) 5 - p. 2838-2846 , 1996
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
6
I—V Curve Shape Factor for Thin p—n Junctions at High Injec..:
Popescu, C.
;
Manifacier, J. C.
;
Ardebili, R.
Physica Status Solidi (a). 158 (1996) 2 - p. 611-621 , 1996
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
7
Current Induced Potential Well in Compensated Semiconductor:
Manifacier, J. C.
;
Ardebili, R.
Physica Status Solidi (a). 158 (1996) 1 - p. 137-142 , 1996
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
8
Bulk and contact effects in p+-SI-n+ semi-insulating GaAs s..:
Manifacier, J. C.
;
Ardebili, R.
Journal of Applied Physics. 77 (1995) 7 - p. 3174-3185 , 1995
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
9
Mesh optimization for the numerical simulation of ambipolar..:
Ardebili, R.
;
Manifacier, J.C.
Computers & Electrical Engineering. 21 (1995) 5 - p. 359-365 , 1995
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
10
Influence of the surface roughness on the determination of ..:
Ardebili, R.
;
Charles, J.-P.
;
Martin, L.
..
Materials Research Bulletin. 25 (1990) 11 - p. 1407-1413 , 1990
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
11
Schottky diode: Comments concerning the diode parameters de..:
Manifacier, J.-C.
;
Brortryb, N.
;
Ardebili, R.
.
Journal of Applied Physics. 64 (1988) 5 - p. 2502-2504 , 1988
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
12
Space-charge conduction and relaxation in dielectric films:
Henisch, H. K.
;
Manifacier, J.-C.
Journal of Applied Physics. 61 (1987) 12 - p. 5379-5385 , 1987
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
13
A tunable, current-controlled, light-emitting diode:
Manifacier, J.C.
;
Moreau, Y.
;
Henisch, H.K.
Solid-State Electronics. 30 (1987) 3 - p. 354-357 , 1987
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
14
Minority-carrier injection into relaxation semiconductors:
Moreau, Y.
;
Manifacier, J.-C.
;
Henisch, H. K.
Journal of Applied Physics. 60 (1986) 8 - p. 2904-2909 , 1986
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
15
Electronic charge transport in high-resistivity semiconduct..:
Henisch, H. K.
;
Manifacier, J.-C.
;
Moreau, Y.
Philosophical Magazine B. 52 (1985) 3 - p. 379-389 , 1985
Link:
https://doi.org/10.1080/..
1-15