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Ohmi, Shun-ichiro
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1
Fabrication of monolayer h-BN/LaB6 heterostructure thin fil..:
Nagaoka, Katsumi
;
Aizawa, Takashi
;
Ohmi, Shun-ichiro
Applied Surface Science. 669 (2024) - p. 160478 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Digital/Analog-Operation of Hf-based FeNOS Nonvolatile Memo..:
Ohmi, Shun-ichiro
IEICE Transactions on Electronics. , 2024
Link:
https://doi.org/10.1587/..
?
3
Effect of SiO2 Interfacial Layer Reduction on MFSFET With 5..:
Ohmi, Shun-ichiro
;
Tanuma, Masakazu
;
Shin, Joong-Won
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 36 (2023) 4 - p. 553-557 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
4
Preface: Special issue on control of semiconductor interfac..:
Shiojima, Kenji
;
Nakatsuka, Osamu
;
Kita, Koji
..
Materials Science in Semiconductor Processing. 158 (2023) - p. 107386 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
FOREWORD:
OHMI, Shun-ichiro
IEICE Transactions on Electronics. E106.C (2023) 10 - p. 580-580 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1587/..
?
6
Kr-Plasma Sputtering for Pt Gate Electrode Deposition on MF..:
SHIN, Joong-Won
;
TANUMA, Masakazu
;
OHMI, Shun-ichiro
IEICE Transactions on Electronics. E106.C (2023) 10 - p. 581-587 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1587/..
?
7
3 V operation of pentacene-based floating-gate memory reali..:
Hong, Eun-Ki
;
Ohmi, Shun-ichiro
Japanese Journal of Applied Physics. 62 (2023) SC - p. SC1051 , 2023
Link:
https://doi.org/10.35848..
?
8
MFSFET with 5nm Thick Ferroelectric Nondoped HfO2 Gate Insu..:
SHIN, Joong-Won
;
TANUMA, Masakazu
;
OHMI, Shun-ichiro
IEICE Transactions on Electronics. E105.C (2022) 10 - p. 578-583 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1587/..
?
9
Sputtering Gas Pressure Dependence on the LaBxNy Insulator ..:
HONG, Eun-Ki
;
PARK, Kyung Eun
;
OHMI, Shun-ichiro
IEICE Transactions on Electronics. E105.C (2022) 10 - p. 589-595 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1587/..
?
10
The Effect of Inter Layers on the Ferroelectric Undoped HfO..:
TANUMA, Masakazu
;
SHIN, Joong-Won
;
OHMI, Shun-ichiro
IEICE Transactions on Electronics. E105.C (2022) 10 - p. 584-588 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1587/..
?
11
Deposition rate dependence of the 5 nm-thick ferroelectric ..:
, In:
2022 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM)
,
Tanuma, Masakazu
;
Shin, Joong-Won
;
Ohmi, Shun-ichiro
- p. 1-4 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
12
Investigation of random telegraph noise characteristics of ..:
Pyo, Jooyoung
;
Ihara, Akio
;
Ohmi, Shun-ichiro
Japanese Journal of Applied Physics. 61 (2022) SC - p. SC1066 , 2022
Link:
https://doi.org/10.35848..
?
13
Effects of sputtering power on the formation of 5 nm thick ..:
Shin, Joong-Won
;
Tanuma, Masakazu
;
Ohmi, Shun-ichiro
Japanese Journal of Applied Physics. 61 (2022) SH - p. SH1010 , 2022
Link:
https://doi.org/10.35848..
?
14
Multi-level 2-bit/cell operation utilizing Hf-based metal/o..:
Pyo, Jooyoung
;
Ihara, Akio
;
Zhang, Wendi
..
Japanese Journal of Applied Physics. 61 (2022) SB - p. SB1001 , 2022
Link:
https://doi.org/10.35848..
?
15
Investigation of the HfON Tunneling Layer of MONOS Device f..:
Pyo, Jooyoung
;
Morita, Hiroki
;
Ihara, Akio
.
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 34 (2021) 3 - p. 323-327 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1109/..
1-15