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André, Yamina
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1
Circumventing the ammonia-related growth suppression for ob..:
Semlali, Elias
;
Avit, Geoffrey
;
André, Yamina
...
Nanotechnology. 35 (2024) 26 - p. 265604 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
2
Long indium-rich InGaAs nanowires by SAG-HVPE:
Chereau, Emmanuel
;
Grégoire, Gabin
;
Avit, Geoffrey
...
Nanotechnology. 35 (2024) 19 - p. 195601 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
3
Importance of As and Ga Balance in Achieving Long GaAs Nano..:
Chereau, Emmanuel
;
Dubrovskii, Vladimir G.
;
Grégoire, Gabin
...
Crystal Growth & Design. 23 (2023) 6 - p. 4401-4409 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
4
Selective Area Growth of GaAs Nanowires and Microplatelet A..:
Zeghouane, Mohammed
;
Grégoire, Gabin
;
Chereau, Emmanuel
...
Crystal Growth & Design. 23 (2023) 4 - p. 2120-2127 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
5
Long catalyst-free InAs nanowires grown on silicon by HVPE:
Grégoire, Gabin
;
Gil, Evelyne
;
Zeghouane, Mohammed
...
CrystEngComm. 23 (2021) 2 - p. 378-384 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1039/..
?
6
Selective Area Growth by Hydride Vapor Phase Epitaxy and Op..:
Grégoire, Gabin
;
Zeghouane, Mohammed
;
Goosney, Curtis
...
Crystal Growth & Design. 21 (2021) 9 - p. 5158-5163 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
7
Optical and structural analysis of ultra-long GaAs nanowire..:
André, Yamina
;
Isik Goktas, Nebile
;
Monier, Guillaume
...
Nano Express. 1 (2020) 2 - p. 020019 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
8
Dynamics of Gold Droplet Formation on SiO2/Si(111) Surface:
Hijazi, Hadi
;
Leroy, Frédéric
;
Monier, Guillaume
...
The Journal of Physical Chemistry C. 124 (2020) 22 - p. 11946-11951 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
9
Morphological Control of InN Nanorods by Selective Area Gro..:
Zeghouane, Mohammed
;
Avit, Geoffrey
;
André, Yamina
...
Crystal Growth & Design. 20 (2020) 4 - p. 2232-2239 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
10
Selective growth of ordered hexagonal InN nanorods:
Zeghouane, Mohammed
;
Avit, Geoffrey
;
Cornelius, Thomas W.
...
CrystEngComm. 21 (2019) 16 - p. 2702-2708 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1039/..
?
11
Si Doping of Vapor–Liquid–Solid GaAs Nanowires: n-Type or p..:
Hijazi, Hadi
;
Monier, Guillaume
;
Gil, Evelyne
...
Nano Letters. 19 (2019) 7 - p. 4498-4504 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
12
Influence of Silicon on the Nucleation Rate of GaAs Nanowir..:
Hijazi, Hadi
;
Dubrovskii, Vladimir G.
;
Monier, Guillaume
...
The Journal of Physical Chemistry C. 122 (2018) 33 - p. 19230-19235 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
13
Crystal engineering by tuning the growth kinetics of GaN 3-..:
Avit, Geoffrey
;
Zeghouane, Mohammed
;
André, Yamina
...
CrystEngComm. 20 (2018) 40 - p. 6207-6213 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1039/..
?
14
GaN Rods Grown on Si by SAG-HVPE toward GaN HVPE/InGaN MOVP..:
Avit, Geoffrey
;
André, Yamina
;
Bougerol, Catherine
...
Crystal Growth & Design. 16 (2016) 5 - p. 2509-2513 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
15
Spontaneous formation of GaN/AlN core–shell nanowires on sa..:
Trassoudaine, Agnès
;
Roche, Elissa
;
Bougerol, Catherine
...
Journal of Crystal Growth. 454 (2016) - p. 1-5 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-15