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Bolze, D.
7  Ergebnisse:
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1

SiGe BiCMOS Technology with 3.0 ps Gate Delay:

, In: 2007 IEEE International Electron Devices Meeting,
Rucker, H. ; Fursenko, O. ; Grabolla, T.... - p. None , 2007
Link: https://doi.org/10.1109/..
 
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2

Cost-effective high-performance high-voltage SiGe:C HBTs wi..:

, In: International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224),
Heinemann, B. ; Kruger, D. ; Kurps, R.... - p. 15.6.1-15.6.4 , 2001
Link: https://doi.org/10.1109/..
 
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3

Alter:

, In: Zeit im Lebensverlauf,
Bolze, Max - p. 25-30 , 2020
Link: https://doi.org/10.1515/..
 
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4

Alter:

, In: Sozialtheorie; Zeit im Lebensverlauf,
Bolze, Max - p. 25-30 , 2020
Link: https://doi.org/10.14361..
 
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5

Hydatidiform Moles:

, In: Textbook of Autoinflammation,
Nguyen, Ngoc Minh Phuong ; Bolze, Pierre-Adrien ; Slim, Rima - p. 485-497 , 2019
Link: https://doi.org/10.1007/..
 
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6

Multiple Glosses with Present Tense Forms of OE beon 'to be..:

, In: The Old English Gloss to the Lindisfarne Gospels,
Bolze, Christine - p. 289-300 , 2016
Link: https://doi.org/10.1515/..
 
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7

4. Konstruktive Realisierung und Technologie vakuumelektron..:

, In: Vakuumelektronik,
Bolze, W. - p. 310-319 , 1978
Link: https://doi.org/10.1515/..
 
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