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Cott, Daire J.
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Dual gate synthetic MoS2 MOSFETs with 4.56µF/cm2 channel ca..:

, In: 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),
Wu, Xiangyu ; Cott, Daire ; Lin, Zaoyang... - p. 7.4.1-7.4.4 , 2021
Link: https://doi.org/10.1109/..
 
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2

Scaling of double-gated WS2 FETs to sub-5nm physical gate l..:

, In: 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM),
Smets, Quentin ; Schram, Tom ; Verreck, Devin... - p. 34.2.1-34.2.4 , 2021
Link: https://doi.org/10.1109/..
 
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