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1
OC05.06: Multisite assessment of the impact of a prenatal t..:
Winters, P.
;
Curnow, K.
;
Benachi, A.
...
Ultrasound in Obstetrics & Gynecology. 58 (2021) S1 - p. 16-16 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
2
Halogen Transport Vapor Phase Epitaxy of III–V Materials:
, In:
Reference Module in Materials Science and Materials Engineering
,
Usui, A.
;
Koukitu, A.
;
Kumagai, Y.
. , 2016
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Comparison of clinical features of preschool and school-age..:
Horiuchi, F.
;
Hasegawa, F.
;
Kawabe, K.
..
Neuropsychiatrie de l'Enfance et de l'Adolescence. 60 (2012) 5 - p. S205 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
Improvement of crystal quality of AlN and AlGaN epitaxial l..:
Niikura, E.
;
Murakawa, K.
;
Hasegawa, F.
.
Journal of Crystal Growth. 298 (2007) - p. 345-348 , 2007
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
Temperature dependence of electroluminescence from Si-based..:
Li, Cheng
;
Suemasu, T.
;
Hasegawa, F.
Journal of Luminescence. 118 (2006) 2 - p. 330-334 , 2006
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
Improvement of luminescence from β-FeSi2 particles embedded..:
Li, Cheng
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
..
Journal of Crystal Growth. 290 (2006) 1 - p. 176-179 , 2006
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
7
Temperature dependence of electroluminescence from silicon ..:
Li, Cheng
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
..
Journal of Applied Physics. 100 (2006) 2 - p. , 2006
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
8
Hole mobility of p-type β-FeSi2 thin films grown from Si∕Fe..:
Takakura, K.
;
Ohyama, H.
;
Takarabe, K.
..
Journal of Applied Physics. 97 (2005) 9 - p. , 2005
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
9
Room-temperature electroluminescence of a Si-based p-i-n di..:
Li, Cheng
;
Suemasu, T.
;
Hasegawa, F.
Journal of Applied Physics. 97 (2005) 4 - p. , 2005
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
10
Growth of Si∕β-FeSi2∕Si double-heterostructures on Si(111) ..:
Takauji, M.
;
Seki, N.
;
Suemasu, T.
..
Journal of Applied Physics. 96 (2004) 5 - p. 2561-2565 , 2004
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
11
Influence of β-FeSi2 particle size and Si growth rate on 1...:
Ozawa, Y.
;
Ohtsuka, T.
;
Li, Cheng
..
Journal of Applied Physics. 95 (2004) 10 - p. 5483-5486 , 2004
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
12
Epitaxial growth of semiconducting β-FeSi2 and its applicat..:
Suemasu, T
;
Takakura, K
;
Li, Cheng
...
Thin Solid Films. 461 (2004) 1 - p. 209-218 , 2004
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
13
Reflection and absorption spectra of β-FeSi2 under pressure:
Mori, Y
;
Sumida, Y
;
Takarabe, K
...
Thin Solid Films. 461 (2004) 1 - p. 171-173 , 2004
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
14
Conduction type and defect levels of β-FeSi2 films grown by..:
Seki, N.
;
Takakura, K.
;
Suemasu, T.
.
Materials Science in Semiconductor Processing. 6 (2003) 5-6 - p. 307-309 , 2003
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
15
Influence of boron-doped Si cap layer on the photoluminesce..:
Li, Cheng
;
Ohtsuka, T.
;
Ozawa, Y.
..
Journal of Applied Physics. 94 (2003) 3 - p. 1518-1520 , 2003
Link:
https://doi.org/10.1063/..
1-15