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Brill, G.
482
Ergebnisse:
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X
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englisch (443)
deutsch (13)
Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
Far-infrared optical properties of Hg1−Cd Se thin films:
Lyons, J.W.
;
Brill, G.
;
Peiris, F.C.
Solid State Communications. 303-304 (2019) - p. 113729 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Investigating the Electron–Phonon Coupling of Molecular Bea..:
Peiris, F. C.
;
Lewis, M. V.
;
Brill, G.
..
Journal of Electronic Materials. 47 (2018) 10 - p. 5715-5718 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
3
Dielectric functions and carrier concentrations of Hg1−xCdx..:
Lee, A. J.
;
Peiris, F. C.
;
Brill, G.
..
Applied Physics Letters. 107 (2015) 7 - p. , 2015
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
4
Impact of Tellurium Precipitates in CdZnTe Substrates on MB..:
Benson, J. D.
;
Bubulac, L. O.
;
Smith, P. J.
...
Journal of Electronic Materials. 43 (2014) 11 - p. 3993-3998 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
5
Exploring the Optical Properties of Hg1−x Cd x Se Films Usi..:
Peiris, F.C.
;
Brill, G.
;
Doyle, Kevin
..
Journal of Electronic Materials. 43 (2014) 8 - p. 3056-3059 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
6
Analysis of Mesa Dislocation Gettering in HgCdTe/CdTe/Si(21..:
Jacobs, R. N.
;
Stoltz, A. J.
;
Benson, J. D.
...
Journal of Electronic Materials. 42 (2013) 11 - p. 3148-3155 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
7
Impurity Gettering in (112)B HgCdTe/CdTe/Alternate Substrat..:
Benson, J. D.
;
Bubulac, L. O.
;
Lennon, C. M.
...
Journal of Electronic Materials. 42 (2013) 11 - p. 3217-3223 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
8
Comparison of the Schaake and Benson Etches to Delineate Di..:
Farrell, S.
;
Rao, Mulpuri V.
;
Brill, G.
...
Journal of Electronic Materials. 42 (2013) 11 - p. 3097-3102 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
9
Analysis of thermal cycle-induced dislocation reduction in ..:
Jacobs, R.N.
;
Benson, J.D.
;
Stoltz, A.J.
...
Journal of Crystal Growth. 366 (2013) - p. 88-94 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
10
Microstructural Characterization of HgCdSe Grown by Molecul..:
Zhao, W. F.
;
Brill, G.
;
Chen, Y.
.
Journal of Electronic Materials. 41 (2012) 10 - p. 2852-2856 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
11
Reduction of Dislocation Density by Producing Novel Structu..:
Stoltz, A. J.
;
Benson, J. D.
;
Jacobs, R.
...
Journal of Electronic Materials. 41 (2012) 10 - p. 2949-2956 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
12
Growth and Analysis of HgCdTe on Alternate Substrates:
Benson, J.D.
;
Bubulac, L.O.
;
Smith, P.J.
...
Journal of Electronic Materials. 41 (2012) 10 - p. 2971-2974 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
13
Reduction of Dislocation Density in HgCdTe on Si by Produci..:
Stoltz, A. J.
;
Benson, J. D.
;
Carmody, M.
...
Journal of Electronic Materials. 40 (2011) 8 - p. 1785-1789 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
14
Effect of Cycle Annealing Parameters on Dislocation Density..:
Farrell, S.
;
Rao, Mulpuri V.
;
Brill, G.
...
Journal of Electronic Materials. 40 (2011) 8 - p. 1727-1732 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
15
Study of HgCdSe Material Grown by Molecular Beam Epitaxy:
Brill, G.
;
Chen, Y.
;
Wijewarnasuriya, P.
Journal of Electronic Materials. 40 (2011) 8 - p. 1679-1684 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1007/..
1-15