Ich stimme zu, dass diese Seite Cookies verwende. Weitere Informationen finden Sie unter unseren
Datenschutzerklärungen
.
X
Login
Merkliste (
0
)
Startseite
Über uns
Startseite Über uns
Neues aus der SuUB
Geschichte der SuUB
Bibliotheksprofil
Presseinformationen
Freundeskreis
Die Bibliothek in Zahlen
Ausstellungen
Projekte
Ausbildung, Praktika und Stellenangebote
Filme zur Staats- und Universitätsbibliothek Bremen
Service & Beratung
Startseite Service & Beratung
Ausleihe & Fernleihe
Rückgabe & Verlängerung
Schulungen & Führungen
Mein Bibliothekskonto
Bibliotheksausweis
Neu in der Bibliothek?
Informationsmaterialien, Formulare und Pläne zum Download
Öffnungszeiten
Lernort Bibliothek
PC, WLAN, Kopieren, Scannen, Drucken
Kataloge & Sammlungen
Startseite Kataloge & Sammlungen
Historische Sammlungen
Digitale Sammlungen
Fachinformationen
Standorte
Startseite Standorte
Zentrale
Juridicum
Bereichsbibliothek Wirtschaftswissenschaft
Bereichsbibliothek Physik / Elektrotechnik
Teilbibliothek Technik und Sozialwesen
Teilbibliothek Wirtschaft und Nautik
Teilbibliothek Musik
Teilbibliothek Kunst
Teilbibliothek Bremerhaven
Kontakt
Startseite Kontakt
Liste der Ansprechpartner
Open Access & Publizieren
Startseite Open Access & Publizieren
Literaturverwaltung
Literatur Publizieren
Open Access in Bremen
Toggle navigation
Goes, W.
201
Ergebnisse:
Artikel (Online) X
Personensuche
X
Sprachen
englisch (182)
deutsch (1)
mehr...
französisch (1)
weniger...
Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
Micromagnetic modeling of double spin-torque magnetic tunne..:
Pruckner, B.
;
Fiorentini, S.
;
Goes, W.
..
Physica B: Condensed Matter. 688 (2024) - p. 416124 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
The influence of interface effects on the switching behavio..:
Bendra, M.
;
Fiorentini, S.
;
Goes, W.
..
Solid-State Electronics. 201 (2023) - p. 108590 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Comprehensive evaluation of torques in ultra-scaled MRAM de..:
Fiorentini, S.
;
Ender, J.
;
Selberherr, S.
...
Solid-State Electronics. 199 (2023) - p. 108491 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
A multi-level cell for ultra-scaled STT-MRAM realized by ba..:
Bendra, M.
;
Fiorentini, S.
;
Selberherr, S.
..
Solid-State Electronics. 208 (2023) - p. 108738 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
Temperature increase in STT-MRAM at writing: A fully three-..:
Hadámek, T.
;
Fiorentini, S.
;
Bendra, M.
...
Solid-State Electronics. 193 (2022) - p. 108269 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
Interface effects in ultra-scaled MRAM cells:
Bendra, M.
;
Fiorentini, S.
;
Goes, W.
..
Solid-State Electronics. 194 (2022) - p. 108373 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
7
Coupled spin and charge drift-diffusion approach applied to..:
Fiorentini, S.
;
Ender, J.
;
Selberherr, S.
...
Solid-State Electronics. 186 (2021) - p. 108103 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
8
Numerical Analysis of Deterministic Switching of a Perpendi..:
de Orio, R. L.
;
Ender, J.
;
Fiorentini, S.
...
IEEE Journal of the Electron Devices Society. 9 (2021) - p. 61-67 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
9
Two-pulse switching scheme and reinforcement learning for e..:
de Orio, R.L.
;
Ender, J.
;
Fiorentini, S.
...
Solid-State Electronics. 185 (2021) - p. 108075 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
10
Improving failure rates in pulsed SOT-MRAM switching by rei..:
Ender, J.
;
de Orio, R.L.
;
Fiorentini, S.
...
Microelectronics Reliability. 126 (2021) - p. 114231 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
11
Two-pulse magnetic field-free switching scheme for perpendi..:
de Orio, R.L.
;
Makarov, A.
;
Goes, W.
...
Physica B: Condensed Matter. 578 (2020) - p. 411743 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
12
Analysis of Switching Under Fixed Voltage and Fixed Current..:
Fiorentini, S.
;
de Orio, R. L.
;
Selberherr, S.
...
IEEE Journal of the Electron Devices Society. 8 (2020) - p. 1249-1256 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
13
Robust magnetic field-free switching of a perpendicularly m..:
de Orio, R.L.
;
Makarov, A.
;
Selberherr, S.
...
Solid-State Electronics. 168 (2020) - p. 107730 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
14
Identification of oxide defects in semiconductor devices: A..:
Goes, W.
;
Wimmer, Y.
;
El-Sayed, A.-M.
...
Microelectronics Reliability. 87 (2018) - p. 286-320 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
15
The defect-centric perspective of device and circuit reliab..:
Kaczer, B.
;
Franco, J.
;
Weckx, P.
...
Solid-State Electronics. 125 (2016) - p. 52-62 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-15