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Grossner, Ulrike
89
Ergebnisse:
Artikel (Online) X
Personensuche
X
Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
Anisotropic and Optimized FFT-Based Iterative Electromagnet..:
Romano, Daniele
;
Kovacevic-Badstuebner, Ivana
;
Antonini, Giulio
.
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 72 (2024) 5 - p. 2927-2937 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
2
Aluminum channeling in 4H-SiC by high-energy implantation a..:
Belanche, Manuel
;
Yonezawa, Yoshiyuki
;
Heller, René
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 179 (2024) - p. 108461 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Impact of carbon injection in 4H-SiC on defect formation an..:
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Karsthof, Robert
;
Galeckas, Augustinas
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 176 (2024) - p. 108316 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
Accelerated Evaluation of Quasi-Static Interaction Integral..:
Romano, Daniele
;
Kovacevic-Badstuebner, Ivana
;
Antonini, Giulio
.
IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. 66 (2024) 3 - p. 829-836 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
5
Dual configuration of shallow acceptor levels in 4H-SiC:
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Kumar, Piyush
;
Ghezellou, Misagh
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 177 (2024) - p. 108360 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
Minority Carrier Traps Induced by Neutron Reactions with 4H..:
Belanche, Manuel
;
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Kumar, Piyush
...
Defect and Diffusion Forum. 426 (2023) - p. 23-28 , 2023
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
7
Optimized Analytical Computation of Partial Elements Using ..:
Romano, Daniele
;
Kovacevic-Badstuebner, Ivana
;
Grossner, Ulrike
.
IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. 65 (2023) 4 - p. 1220-1231 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
8
Heavy-Ion-Induced Defects in Degraded SiC Power MOSFETs:
Martinella, Corinna
;
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Javanainen, Arto
.
Materials Science Forum. 1090 (2023) - p. 179-184 , 2023
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
9
Energy-Dependent Impact of Proton Irradiation on 4H-SiC Sch..:
Kumar, Piyush
;
Belanche, Manuel
;
Für, Natalija
...
Materials Science Forum. 1092 (2023) - p. 187-192 , 2023
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
10
Temperature Dependence of the Channel and Drift Resistance ..:
Stark, Roger
;
Tsibizov, Alexander
;
Race, Salvatore
...
Materials Science Forum. 1092 (2023) - p. 165-170 , 2023
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
11
Mapping the impact of defect distributions in silicon carbi..:
Dorfer, Christian
;
Bathen, Marianne E.
;
Race, Salvatore
...
Applied Physics Letters. 122 (2023) 18 - p. , 2023
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
12
Charge State Control over Point Defects in Sic Devices:
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Selnesaunet, Gard M.
;
Enga, Marius Johan
...
Defect and Diffusion Forum. 425 (2023) - p. 35-42 , 2023
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
13
Small-Signal Impedance and Split C-V Characterization of Hi..:
Race, Salvatore
;
Kovacevic-Badstuebner, Ivana
;
Stark, Roger
...
Materials Science Forum. 1091 (2023) - p. 67-71 , 2023
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
14
Defect Profiling of Oxide‐Semiconductor Interfaces Using Lo..:
Mendes Martins, Maria
;
Kumar, Piyush
;
Woerle, Judith
...
Advanced Materials Interfaces. 10 (2023) 21 - p. , 2023
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
15
Controlled Macrostepping of Si-Face 4°off 4H-SiC over a Lar..:
Jousseaume, Yann
;
Cauwet, François
;
Woerle, Judith
...
Materials Science Forum. 1089 (2023) - p. 9-14 , 2023
Link:
https://doi.org/10.4028/..
1-15