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Gucmann, F
14
Ergebnisse:
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Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
Electron transport properties in thin InN layers grown on I..:
Stoklas, R.
;
Hasenöhrl, S.
;
Dobročka, E.
..
Materials Science in Semiconductor Processing. 155 (2023) - p. 107250 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Doping efficiency and electron transport in Al-doped ZnO fi..:
Mošková, A.
;
Moško, M.
;
Precner, M.
...
Journal of Applied Physics. 130 (2021) 3 - p. , 2021
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
3
Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substr..:
Šichman, P.
;
Hasenöhrl, S.
;
Stoklas, R.
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 118 (2020) - p. 105203 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
A systematic study of MOCVD reactor conditions and Ga memor..:
Chauhan, Prerna
;
Hasenöhrl, S.
;
Vančo, Ľ.
...
CrystEngComm. 22 (2020) 1 - p. 130-141 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1039/..
?
5
Growth of α- and β-Ga2O3 epitaxial layers on sapphire subst..:
Egyenes-Pörsök, F
;
Gucmann, F
;
Hušeková, K
...
Semiconductor Science and Technology. 35 (2020) 11 - p. 115002 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
6
Investigation of interfaces and threshold voltage instabili..:
Pohorelec, O.
;
Ťapajna, M.
;
Gregušová, D.
...
Applied Surface Science. 528 (2020) - p. 146824 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
7
Evidence of relationship between strain and In-incorporatio..:
Chauhan, P.
;
Hasenöhrl, S.
;
Dobročka, E.
...
Journal of Applied Physics. 125 (2019) 10 - p. , 2019
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
8
Impact of oxide/barrier charge on threshold voltage instabi..:
Ťapajna, M.
;
Drobný, J.
;
Gucmann, F.
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 91 (2019) - p. 356-361 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Corrigendum to "Impact of oxide/barrier charge on threshold..:
Ťapajna, M.
;
Drobný, J.
;
Gucmann, F.
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 93 (2019) - p. 381 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
10
Technology and application of in-situ AlOx layers on III-V ..:
Kúdela, R.
;
Šoltýs, J.
;
Kučera, M.
...
Applied Surface Science. 461 (2018) - p. 33-38 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
11
Properties of InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heteros..:
Gregušová, D.
;
Gucmann, F.
;
Kúdela, R.
...
Applied Surface Science. 395 (2017) - p. 140-144 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
12
Investigation of 'surface donors' in Al2O3/AlGaN/GaN metal-..:
Ťapajna, M.
;
Stoklas, R.
;
Gregušová, D.
...
Applied Surface Science. 426 (2017) - p. 656-661 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
13
InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heterostructure field..:
Gucmann, F.
;
Gregušová, D.
;
Stoklas, R.
...
Applied Physics Letters. 105 (2014) 18 - p. 183504 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
14
Scaling of the physical properties in Ba(Fe,Ni)2As2single c..:
Rodière, P.
;
Klein, T.
;
Lemberger, L.
...
Physical Review B. 85 (2012) 21 - p. , 2012
Link:
https://doi.org/10.1103/..
1-14