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Ishihara, Seiya
27
Ergebnisse:
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Sortierung: Jahr
?
1
Investigation on Mo1−x W x S2 fabricated by co-sputtering a..:
Hibino, Yusuke
;
Ishihara, Seiya
;
Sawamoto, Naomi
...
Japanese Journal of Applied Physics. 57 (2018) 6S1 - p. 06HB04 , 2018
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
2
Low-Carrier-Density Sputtered MoS2 Film by Vapor-Phase Sulf..:
Matsuura, Kentaro
;
Ohashi, Takumi
;
Muneta, Iriya
...
Journal of Electronic Materials. 47 (2018) 7 - p. 3497-3501 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
3
Sputter-Deposited-MoS2${n}$ MISFETs With Top-Gate and Al2O3..:
Matsuura, Kentaro
;
Wakabayashi, Hitoshi
;
Shimizu, Jun'Ichi
...
IEEE Journal of the Electron Devices Society. 6 (2018) - p. 1246-1252 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
4
Suppression of Sulfur Desorption of High-Temperature Sputte..:
Hibino, Yusuke
;
Ishihara, Seiya
;
Oyanagi, Yuya
...
ECS Transactions. 85 (2018) 13 - p. 531-539 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
5
Quantitative relationship between sputter-deposited-MoS2 pr..:
Ohashi, Takumi
;
Muneta, Iriya
;
Matsuura, Kentaro
...
Applied Physics Express. 10 (2017) 4 - p. 041202 , 2017
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
6
Pattern-dependent anisotropic stress evaluation in SiGe epi..:
Yamamoto, Shotaro
;
Kosemura, Daisuke
;
Takeuchi, Kazuma
...
Japanese Journal of Applied Physics. 56 (2017) 5 - p. 051301 , 2017
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
7
Local anisotropic strain evaluation in thin Ge epitaxial fi..:
Takeuchi, Kazuma
;
Yokogawa, Ryo
;
Ishihara, Seiya
...
Japanese Journal of Applied Physics. 56 (2017) 11 - p. 110313 , 2017
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
8
Band gap-tuned MoS2(1−x)Te2x thin films synthesized by a hy..:
Hibino, Yusuke
;
Ishihara, Seiya
;
Sawamoto, Naomi
...
Journal of Materials Research. 32 (2017) 16 - p. 3021-3028 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1557/..
?
9
Improving crystalline quality of sputtering-deposited MoS2 ..:
Ishihara, Seiya
;
Hibino, Yusuke
;
Sawamoto, Naomi
...
Japanese Journal of Applied Physics. 55 (2016) 4S - p. 04EJ07 , 2016
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
10
Large Scale Uniformity of Sputtering Deposited Single- and ..:
Ishihara, Seiya
;
Hibino, Yusuke
;
Sawamoto, Naomi
...
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 5 (2016) 11 - p. Q3012-Q3015 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
11
Properties of single-layer MoS2 film fabricated by combinat..:
Ishihara, Seiya
;
Hibino, Yusuke
;
Sawamoto, Naomi
...
Japanese Journal of Applied Physics. 55 (2016) 6S1 - p. 06GF01 , 2016
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
12
Multi-layered MoS2 film formed by high-temperature sputteri..:
Ohashi, Takumi
;
Suda, Kohei
;
Ishihara, Seiya
...
Japanese Journal of Applied Physics. 54 (2015) 4S - p. 04DN08 , 2015
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
13
Growth of Ge Homoepitaxial Films by Metal-Organic Chemical ..:
Suda, Kohei
;
Kijima, Takahiro
;
Ishihara, Seiya
...
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 4 (2015) 5 - p. P152-P154 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
14
Ge homoepitaxial growth by metal–organic chemical vapor dep..:
Suda, Kohei
;
Ishihara, Seiya
;
Sawamoto, Naomi
...
Japanese Journal of Applied Physics. 53 (2014) 11 - p. 110301 , 2014
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
15
Ge1-xSnx Epitaxial Growth on Ge Substrate by MOCVD:
Suda, Kohei
;
Ishihara, Seiya
;
Sawamoto, Naomi
...
ECS Transactions. 64 (2014) 6 - p. 697-701 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1149/..
1-15