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Kammeugne, Romeo Kom
4
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Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
On-Wafer Drain Current Variability in GaN MIS-HEMT on 200-m..:
Kammeugne, Romeo Kom
;
Leroux, Charles
;
Theodorou, Christoforos
...
Journal of Electronics and Electrical Engineering. , 2023
Link:
https://doi.org/10.37256..
?
2
In Depth Parasitic Capacitance Analysis on GaN-HEMTs with R..:
Kammeugne, Romeo Kom
;
Leroux, Charles
;
Frutuoso, Tadeu Mota
...
Journal of Electronics and Electrical Engineering. , 2022
Link:
https://doi.org/10.37256..
?
3
New insights into low frequency noise (LFN) sources analysi..:
Kom Kammeugne, R.
;
Theodorou, C.
;
Leroux, C.
...
Solid-State Electronics. 200 (2023) - p. 108555 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
Accurate statistical extraction of AlGaN/GaN HEMT device pa..:
Kom Kammeugne, R.
;
Leroux, C.
;
Cluzel, J.
...
Solid-State Electronics. 184 (2021) - p. 108078 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-4