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Leroux, Charles
150
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französisch (9)
Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
p-type NiOx ultrathin film as highly efficient hole extract..:
Zouknak, Louis David Mohgouk
;
Gros-Jean, Mickael
;
Blonkowski, Serge
..
Solid-State Electronics. 212 (2024) - p. 108836 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
InGaAs/GaAsP Superlattice Resonant Cavity-Enhanced Photodet..:
Letka, Veronica
;
Martin, Mickaël
;
Massara, Natalia
...
ACS Photonics. 10 (2023) 9 - p. 3266-3274 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
3
On-Wafer Drain Current Variability in GaN MIS-HEMT on 200-m..:
Kammeugne, Romeo Kom
;
Leroux, Charles
;
Theodorou, Christoforos
...
Journal of Electronics and Electrical Engineering. , 2023
Link:
https://doi.org/10.37256..
?
4
Absolute prediction of relative changes in contrast sensiti..:
Leroux, Charles
;
Ouadi, Sarah
;
Leahy, Conor
...
Biomedical Optics Express. 14 (2023) 7 - p. 3203 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1364/..
?
5
In Depth Parasitic Capacitance Analysis on GaN-HEMTs with R..:
Kammeugne, Romeo Kom
;
Leroux, Charles
;
Frutuoso, Tadeu Mota
...
Journal of Electronics and Electrical Engineering. , 2022
Link:
https://doi.org/10.37256..
?
6
Investigation on interface charges in SiN/AlxGa1−xN/GaN het..:
Rrustemi, Bledion
;
Jaud, Marie-Anne
;
Triozon, François
...
Journal of Applied Physics. 130 (2021) 10 - p. , 2021
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
7
Impact of CMOS TiN metal gate process on microstructure and..:
Kumar, Pushpendra
;
Domengie, Florian
;
Leroux, Charles
..
MRS Advances. 4 (2019) 27 - p. 1565-1571 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1557/..
?
8
Impact of growth conditions on AlN/GaN heterostructures wit..:
Kanyandekwe, Joël
;
Baines, Yannick
;
Richy, Jérôme
...
Journal of Crystal Growth. 515 (2019) - p. 48-52 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Metal/Acid Bifunctional Catalysis and Intimacy Criterion fo..:
Gutierrez-Acebo, Ester
;
Leroux, Charles
;
Chizallet, Céline
..
ACS Catalysis. 8 (2018) 7 - p. 6035-6046 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
10
Characterization of 2DEG in AlGaN/GaN heterostructure by Ha..:
Nifa, Iliass
;
Leroux, Charles
;
Torres, Alphonse
...
Microelectronic Engineering. 178 (2017) - p. 128-131 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
11
(Invited) Dipoles in Gate-Stack/FDSOI Structure:
Reimbold, Gilles
;
Leroux, Charles
;
Suarez Segovia, Carlos
...
ECS Transactions. 80 (2017) 1 - p. 237-245 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
12
Interface and plasma damage analysis of PEALD TaCN deposite..:
Piallat, Fabien
;
Beugin, Virginie
;
Gassilloud, Remy
...
Applied Surface Science. 303 (2014) - p. 388-392 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
13
(Invited) In Depth Study of Ge Impact on Advanced SiGe PMOS..:
Soussou, Assawer
;
Cassé, Mikael
;
Reimbold, Gilles
...
ECS Transactions. 64 (2014) 8 - p. 61-68 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
14
Investigation of Mg Diffusion in Ta(N) Based Electrodes on ..:
Gassilloud, Rémy
;
Maunoury, Cécile
;
Leroux, Charles
...
ECS Transactions. 50 (2013) 4 - p. 177-183 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
15
MNOS stack for reliable, low optical loss, Cu based CMOS pl..:
Emboras, Alexandros
;
Najar, Adel
;
Nambiar, Siddharth
...
Optics Express. 20 (2012) 13 - p. 13612 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1364/..
1-15