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Müssig, H.-J.
125
Ergebnisse:
Artikel (Online) X
Personensuche
X
Sprachen
englisch (111)
deutsch (12)
Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
The role of the HfO2–TiN interface in capacitance–voltage n..:
Wenger, Ch.
;
Lukosius, M.
;
Weidner, G.
...
Thin Solid Films. 517 (2009) 23 - p. 6334-6336 , 2009
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Hf- and Zr-based alkaline earth perovskite dielectrics for ..:
Łupina, G.
;
Seifarth, O.
;
Kozłowski, G.
...
Microelectronic Engineering. 86 (2009) 7-9 - p. 1842-1844 , 2009
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Atomically smooth and single crystalline Ge(111)/cubic-Pr2O..:
Giussani, A.
;
Rodenbach, P.
;
Zaumseil, P.
...
Journal of Applied Physics. 105 (2009) 3 - p. , 2009
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
4
Publisher's Note: "Atomically smooth and single crystalline..:
Giussani, A.
;
Rodenbach, P.
;
Zaumseil, P.
...
Journal of Applied Physics. 105 (2009) 12 - p. 129905 , 2009
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
5
Dielectric constant and leakage of BaZrO3 films:
Łupina, G.
;
Dąbrowski, J.
;
Dudek, P.
...
Applied Physics Letters. 94 (2009) 15 - p. , 2009
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
6
Dielectric properties of single crystalline PrO2(111)/Si(11..:
Seifarth, O.
;
Walczyk, Ch.
;
Lupina, G.
...
Journal of Applied Physics. 106 (2009) 10 - p. , 2009
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
7
Pulse-induced low-power resistive switching in HfO2 metal-i..:
Walczyk, Ch.
;
Wenger, Ch.
;
Sohal, R.
...
Journal of Applied Physics. 105 (2009) 11 - p. , 2009
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
8
Investigation of atomic vapour deposited TiN/HfO2/SiO2 gate..:
Wenger, Ch.
;
Lukosius, M.
;
Costina, I.
...
Microelectronic Engineering. 85 (2008) 8 - p. 1762-1765 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Thin BaHfO3 high-k dielectric layers on TiN for memory capa..:
Lupina, G.
;
Kozłowski, G.
;
Dabrowski, J.
...
Applied Physics Letters. 92 (2008) 6 - p. , 2008
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
10
Microscopic model for the nonlinear behavior of high-k meta..:
Wenger, Ch.
;
Lupina, G.
;
Lukosius, M.
...
Journal of Applied Physics. 103 (2008) 10 - p. , 2008
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
11
Lattice engineering of dielectric heterostructures on Si by..:
Schroeder, T.
;
Costina, I.
;
Storck, P.
...
Journal of Applied Physics. 103 (2008) 8 - p. , 2008
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
12
The influence of lattice oxygen on the initial growth behav..:
Giussani, A.
;
Seifarth, O.
;
Rodenbach, P.
...
Journal of Applied Physics. 103 (2008) 8 - p. , 2008
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
13
Dielectric and structural properties of thin SrHfO3 layers ..:
Lupina, G.
;
Kozłowski, G.
;
Dabrowski, J.
...
Applied Physics Letters. 93 (2008) 25 - p. , 2008
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
14
Atomic - vapour - deposited HfO2 and Sr4Ta2O9 layers for me..:
Lukosius, M.
;
Wenger, Ch.
;
Schroeder, T.
...
Microelectronic Engineering. 84 (2007) 9-10 - p. 2165-2168 , 2007
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
15
Preface:
Müssig, H.-J.
;
Marletta, G.
;
Grimmeiss, H.G.
..
Materials Science and Engineering: C. 27 (2007) 5-8 - p. 935 , 2007
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-15