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Rossel, C.
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1
DES science portal: Computing photometric redshifts:
Gschwend, J.
;
Rossel, A.C.
;
Ogando, R.L.C.
...
Astronomy and Computing. 25 (2018) - p. 58-80 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Synthesis and modification of poly(ethyl 2-(imidazol-1-yl)a..:
Rössel, C.
;
Billing, M.
;
Görls, H.
...
Polymer. 127 (2017) - p. 182-191 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Development of a new nuclide generation and depletion code ..:
Kasselmann, S.
;
Schitthelm, O.
;
Tantillo, F.
...
Nuclear Engineering and Design. 306 (2016) - p. 154-159 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
ELIAS – "ElternImpulsAnleitungSprache":
Frey, H
;
Rossel, C
Das Gesundheitswesen. 77 (2015) 4 - p. , 2015
Link:
https://doi.org/10.1055/..
?
5
Temperature dependence of the transverse piezoelectric coef..:
Rossel, C.
;
Sousa, M.
;
Abel, S.
...
Journal of Applied Physics. 115 (2014) 3 - p. , 2014
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
6
Strain effects on n-InGaAs heterostructure-on-insulator mad..:
Rossel, C.
;
Weigele, P.
;
Czornomaz, L.
...
Solid-State Electronics. 98 (2014) - p. 88-92 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
7
Towards large size substrates for III-V co-integration made..:
Daix, N.
;
Uccelli, E.
;
Czornomaz, L.
...
APL Materials. 2 (2014) 8 - p. 086104 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
8
Thermally stable, sub-nanometer equivalent oxide thickness ..:
El Kazzi, M.
;
Czornomaz, L.
;
Rossel, C.
...
Applied Physics Letters. 100 (2012) 6 - p. , 2012
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
9
CMOS compatible self-aligned S/D regions for implant-free I..:
Czornomaz, L.
;
El Kazzi, M.
;
Hopstaken, M.
...
Solid-State Electronics. 74 (2012) - p. 71-76 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
10
Sub-nm equivalent oxide thickness on Si-passivated GaAs cap..:
El Kazzi, M.
;
Czornomaz, L.
;
Webb, D. J.
...
Applied Physics Letters. 99 (2011) 5 - p. , 2011
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
11
GaAs on 200 mm Si wafers via thin temperature graded Ge buf..:
Richter, M.
;
Rossel, C.
;
Webb, D.J.
...
Journal of Crystal Growth. 323 (2011) 1 - p. 387-392 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
12
1.2nm capacitance equivalent thickness gate stacks on Si-pa..:
El Kazzi, M.
;
Webb, D.J.
;
Czornomaz, L.
...
Microelectronic Engineering. 88 (2011) 7 - p. 1066-1069 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
13
Structural and electrical properties of fully strained (In,..:
Marchiori, C.
;
Kiewra, E.
;
Fompeyrine, J.
...
Applied Physics Letters. 96 (2010) 21 - p. , 2010
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
14
Lanthanum germanate as dielectric for scaled Germanium meta..:
Andersson, C.
;
Rossel, C.
;
Sousa, M.
...
Microelectronic Engineering. 86 (2009) 7-9 - p. 1635-1637 , 2009
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
15
H plasma cleaning and a-Si passivation of GaAs for surface ..:
Marchiori, C.
;
Webb, D. J.
;
Rossel, C.
...
Journal of Applied Physics. 106 (2009) 11 - p. , 2009
Link:
https://doi.org/10.1063/..
1-15