Ich stimme zu, dass diese Seite Cookies verwende. Weitere Informationen finden Sie unter unseren
Datenschutzerklärungen
.
X
Login
Merkliste (
0
)
Startseite
Über uns
Startseite Über uns
Neues aus der SuUB
Geschichte der SuUB
Bibliotheksprofil
Presseinformationen
Freundeskreis
Die Bibliothek in Zahlen
Ausstellungen
Projekte
Ausbildung, Praktika und Stellenangebote
Filme zur Staats- und Universitätsbibliothek Bremen
Service & Beratung
Startseite Service & Beratung
Ausleihe & Fernleihe
Rückgabe & Verlängerung
Schulungen & Führungen
Mein Bibliothekskonto
Bibliotheksausweis
Neu in der Bibliothek?
Informationsmaterialien, Formulare und Pläne zum Download
Öffnungszeiten
Lernort Bibliothek
PC, WLAN, Kopieren, Scannen, Drucken
Kataloge & Sammlungen
Startseite Kataloge & Sammlungen
Historische Sammlungen
Digitale Sammlungen
Fachinformationen
Standorte
Startseite Standorte
Zentrale
Juridicum
Bereichsbibliothek Wirtschaftswissenschaft
Bereichsbibliothek Physik / Elektrotechnik
Teilbibliothek Technik und Sozialwesen
Teilbibliothek Wirtschaft und Nautik
Teilbibliothek Musik
Teilbibliothek Kunst
Teilbibliothek Bremerhaven
Kontakt
Startseite Kontakt
Liste der Ansprechpartner
Open Access & Publizieren
Startseite Open Access & Publizieren
Literaturverwaltung
Literatur Publizieren
Open Access in Bremen
Toggle navigation
Amishiro, Hiroyuki
9
Ergebnisse:
Personensuche
X
Format
Online (9)
Medientypen
Artikel (Online) (8)
OpenAccess-Volltexte (1)
Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
Impact of Recovery Characteristics on Switching Loss of SiC..:
Tominaga, Takaaki
;
Iwamatsu, Toshiaki
;
Nakao, Yukiyasu
...
Materials Science Forum. 1062 (2022) - p. 447-451 , 2022
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
2
Body Potential Control via p-Type Contact Resistance and It..:
Tominaga, Takaaki
;
Iwamatsu, Toshiaki
;
Nakao, Yukiyasu
...
IEEE Transactions on Electron Devices. 69 (2022) 1 - p. 285-290 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
3
Influence of recovery characteristics on switching behavior..:
Tominaga, Takaaki
;
Iwamatsu, Toshiaki
;
Nakao, Yukiyasu
...
Japanese Journal of Applied Physics. 59 (2020) 8 - p. 084003 , 2020
Link:
https://doi.org/10.35848..
?
4
Coulomb-limited mobility in 4H-SiC MOS inversion layer as a..:
Noguchi, Munetaka
;
Iwamatsu, Toshiaki
;
Amishiro, Hiroyuki
...
Japanese Journal of Applied Physics. 59 (2020) 5 - p. 051006 , 2020
Link:
https://doi.org/10.35848..
?
5
Carrier transport properties in inversion layer of Si-face ..:
Noguchi, Munetaka
;
Iwamatsu, Toshiaki
;
Amishiro, Hiroyuki
...
Japanese Journal of Applied Physics. 58 (2019) 3 - p. 031004 , 2019
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
6
Hall effect mobility in inversion layer of 4H-SiC MOSFETs w..:
Noguchi, Munetaka
;
Iwamatsu, Toshiaki
;
Amishiro, Hiroyuki
...
Japanese Journal of Applied Physics. 58 (2019) SB - p. SBBD14 , 2019
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
7
Hall effect mobility for SiC MOSFETs with increasing dose o..:
Noguchi, Munetaka
;
Iwamatsu, Toshiaki
;
Amishiro, Hiroyuki
...
Japanese Journal of Applied Physics. 57 (2018) 4S - p. 04FR13 , 2018
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
8
Accuracy of the Energy Distribution of the Interface States..:
Noguchi, Munetaka
;
Iwamatsu, Toshiaki
;
Amishiro, Hiroyuki
...
Materials Science Forum. 858 (2016) - p. 437-440 , 2016
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
9
Impact of Well Edge Proximity Effect on Timing:
KANAMOTO, Toshiki
;
OGASAHARA, Yasuhiro
;
NATSUME, Keiko
...
http://journals.fcla.edu/ietfec-a/article/view/17822/17488. , 2008
Link:
http://journals.fcla.edu..
1-9