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Bathen, Marianne Etzelmüller
55
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Artikel (Online) (18)
Buchkapitel (Online) (1)
OpenAccess-Volltexte (36)
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Sortierung: Jahr
?
1
Impact of carbon injection in 4H-SiC on defect formation an..:
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Karsthof, Robert
;
Galeckas, Augustinas
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 176 (2024) - p. 108316 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Dual configuration of shallow acceptor levels in 4H-SiC:
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Kumar, Piyush
;
Ghezellou, Misagh
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 177 (2024) - p. 108360 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Heavy-Ion-Induced Defects in Degraded SiC Power MOSFETs:
Martinella, Corinna
;
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Javanainen, Arto
.
Materials Science Forum. 1090 (2023) - p. 179-184 , 2023
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
4
Investigation of the SiO2-SiC Interface Using Low-Energy Mu..:
Kumar, Piyush
;
Martins, Maria Inês Mendes
;
Bathen, Marianne Etzelmüller
...
Physical Review Applied. 19 (2023) 5 - p. , 2023
Link:
https://doi.org/10.1103/..
?
5
Energy-Dependent Impact of Proton Irradiation on 4H-SiC Sch..:
Kumar, Piyush
;
Belanche, Manuel
;
Für, Natalija
...
Materials Science Forum. 1092 (2023) - p. 187-192 , 2023
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
6
Charge State Control over Point Defects in Sic Devices:
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Selnesaunet, Gard M.
;
Enga, Marius Johan
...
Defect and Diffusion Forum. 425 (2023) - p. 35-42 , 2023
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
7
Minority Carrier Traps Induced by Neutron Reactions with 4H..:
Belanche, Manuel
;
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Kumar, Piyush
...
Defect and Diffusion Forum. 426 (2023) - p. 23-28 , 2023
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
8
Gate Impedance Analysis of SiC power MOSFETs with SiO2 and ..:
, In:
2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
,
Race, Salvatore
;
Kumar, Piyush
;
Natzke, Philipp
... - p. 9-12 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
9
Stability, Evolution and Diffusion of Intrinsic Point Defec..:
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Karsthof, Robert
;
Grossner, Ulrike
.
Materials Science Forum. 1062 (2022) - p. 371-375 , 2022
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
10
Predicting solid state material platforms for quantum techn..:
Hebnes, Oliver Lerstøl
;
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Schøyen, Øyvind Sigmundson
...
npj Computational Materials. 8 (2022) 1 - p. , 2022
Link:
https://doi.org/10.1038/..
?
11
Cross‐Sectional Carrier Lifetime Profiling and Deep Level M..:
Galeckas, Augustinas
;
Karsthof, Robert
;
Gana, Kingsly
...
physica status solidi (a). 220 (2022) 10 - p. , 2022
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
12
Depth-Resolved Study of the SiO2- SiC Interface Using Low-E..:
Kumar, Piyush
;
Martins, Maria Inês Mendes
;
Bathen, Marianne Etzelmüller
...
Materials Science Forum. 1062 (2022) - p. 315-319 , 2022
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
13
Retinal injuries in seven teenage boys from the same handhe..:
Faraj, Sayed
;
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Galeckas, Augustinas
...
American Journal of Ophthalmology Case Reports. 27 (2022) - p. 101596 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
14
Manipulating Single‐Photon Emission from Point Defects in D..:
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Vines, Lasse
Advanced Quantum Technologies. 4 (2021) 7 - p. , 2021
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
15
First-principles calculations of Stark shifts of electronic..:
Bathen, Marianne Etzelmüller
;
Vines, Lasse
;
Coutinho, José
Journal of Physics: Condensed Matter. 33 (2020) 7 - p. 075502 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1088/..
1-15