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Bensaoula, A.
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1
Influence of HiPIMS pulse widths on the deposition behaviou..:
Lapeyre, L.
;
Wieczerzak, K.
;
Hain, C.
...
Surface and Coatings Technology. 450 (2022) - p. 129002 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Propagation of THz acoustic wave packets in GaN at room tem..:
Maznev, A. A.
;
Hung, T.-C.
;
Yao, Y.-T.
...
Applied Physics Letters. 112 (2018) 6 - p. , 2018
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
3
GaN nanorod arrays as a high-stability field emitter:
Seo, H. W.
;
Tu, L. W.
;
Chen, M.
...
Journal of the Korean Physical Society. 71 (2017) 6 - p. 340-344 , 2017
Link:
https://doi.org/10.3938/..
?
4
Effect of N2* and N on GaN nanocolumns grown on Si(111) by ..:
Debnath, A.
;
Gandhi, J. S.
;
Kesaria, M.
...
Journal of Applied Physics. 119 (2016) 10 - p. , 2016
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
5
High-pressure Raman scattering in InGaN heteroepitaxial lay..:
Oliva, R.
;
Ibáñez, J.
;
Cuscó, R.
...
Applied Physics Letters. 104 (2014) 14 - p. , 2014
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
6
A photoluminescence study of plasma reactive ion etching-in..:
Mouffak, Z.
;
Bensaoula, A.
;
Trombetta, L.
Journal of Semiconductors. 35 (2014) 11 - p. 113003 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
7
Multiphononon resonant Raman scattering in He+-implanted In..:
Domènech-Amador, N
;
Cuscó, R
;
García-Hernansanz, R
...
Semiconductor Science and Technology. 29 (2014) 4 - p. 045013 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
8
Dynamic range and sensitivity of field emission pressure se..:
Badi, N.
;
Bensaoula, A.
;
Nair, A.M.
Applied Surface Science. 285 (2013) - p. 907-911 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Determination of optical constants and stoichiometry of BxO..:
Badi, N.
;
Morales, M.
;
Boney, C.
..
Journal of Non-Crystalline Solids. 382 (2013) - p. 1-4 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
10
Raman scattering by the E2h and A1(LO) phonons of InxGa1−xN..:
Oliva, R.
;
Ibáñez, J.
;
Cuscó, R.
...
Journal of Applied Physics. 111 (2012) 6 - p. , 2012
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
11
Simulation of a solar cell based on InGaN:
Vilbois, L.A.
;
Cheknane, A.
;
Bensaoula, A.
..
Energy Procedia. 18 (2012) - p. 795-806 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
12
Brillouin scattering determination of the surface acoustic ..:
Jiménez-Riobóo, R. J.
;
Cuscó, R.
;
Oliva, R.
...
Applied Physics Letters. 101 (2012) 6 - p. 062103 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
13
Raman scattering by folded acoustic phonons in InGaN/GaN su..:
Ibáñez, J.
;
Rapaport, A.
;
Boney, C.
...
Journal of Raman Spectroscopy. 43 (2011) 2 - p. 237-240 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
14
Quantitative depth profile analysis of boron implanted sili..:
Pisonero, J.
;
Lobo, L.
;
Bordel, N.
...
Solar Energy Materials and Solar Cells. 94 (2010) 8 - p. 1352-1357 , 2010
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
15
Field emission pressure sensors with non-silicon membranes:
Badi, N.
;
Nair, A.M.
;
Bensaoula, A.
Applied Surface Science. 256 (2010) 16 - p. 4990-4994 , 2010
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-15