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Degroote, Stefan
89
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?
1
AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors with Regro..:
Abid, Idriss
;
Mehta, Jash
;
Cordier, Yvon
...
Electronics. 10 (2021) 6 - p. 635 , 2021
Link:
https://doi.org/10.3390/..
?
2
High Breakdown Voltage and Low Buffer Trapping in Superlatt..:
Tajalli, Alaleh
;
Meneghini, Matteo
;
Besendörfer, Sven
...
Materials. 13 (2020) 19 - p. 4271 , 2020
Link:
https://doi.org/10.3390/..
?
3
Vertical Leakage in GaN-on-Si Stacks Investigated by a Buff..:
Tajalli, Alaleh
;
Borga, Matteo
;
Meneghini, Matteo
...
Micromachines. 11 (2020) 1 - p. 101 , 2020
Link:
https://doi.org/10.3390/..
?
4
Low On‐Resistance and Low Trapping Effects in 1200 V Superl..:
Kabouche, Riad
;
Abid, Idriss
;
Püsche, Roland
...
physica status solidi (a). 217 (2019) 7 - p. , 2019
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
5
Gallium nitride MEMS resonators: how residual stress impact..:
Morelle, Christophe
;
Théron, Didier
;
Derluyn, Joff
...
Microsystem Technologies. 24 (2017) 1 - p. 371-377 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
6
1900 V, 1.6 mΩ cm2AlN/GaN-on-Si power devices realized by l..:
Herbecq, Nicolas
;
Roch-Jeune, Isabelle
;
Rolland, Nathalie
...
Applied Physics Express. 7 (2014) 3 - p. 034103 , 2014
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
7
Indium-Rich InGaN Films Grown on Ge Substrate by Plasma-Ass..:
Ma, Quan-Bao
;
Lieten, Ruben
;
Degroote, Stefan
..
Journal of Electronic Materials. 44 (2014) 1 - p. 202-209 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
8
GaN-on-Si for Power Technology:
Visalli, Domenica
;
Derluyn, Joff
;
Sijmus, Bram
..
ECS Transactions. 50 (2013) 3 - p. 173-176 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
9
Investigation of Light-Induced Deep-Level Defect Activation..:
Visalli, Domenica
;
Hove, Marleen Van
;
Leys, Maarten
...
Applied Physics Express. 4 (2011) 9 - p. 094101 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
10
Solid phase epitaxy of amorphous Ge films deposited by PECV:
Ma, Quan-Bao
;
Lieten, Ruben
;
Leys, Maarten
...
Journal of Crystal Growth. 331 (2011) 1 - p. 40-43 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
11
(Invited) Selective Epitaxial Growth of III-V Semiconductor..:
Nguyen, Ngoc Duy
;
Wang, Gang
;
Brammertz, Guy
...
ECS Transactions. 33 (2010) 6 - p. 933-939 , 2010
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
12
(Invited) Epitaxial Growth of III-Nitrides on Silicon Subst..:
Degroote, Stefan
;
Leys, Maarten
;
Cheng, Kai
...
ECS Transactions. 33 (2010) 6 - p. 833-842 , 2010
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
13
Excellent Stability of GaN-on-Si High Electron Mobility Tra..:
Marcon, Denis
;
Hove, Marleen Van
;
Visalli, Domenica
...
Japanese Journal of Applied Physics. 49 (2010) 4S - p. 04DF07 , 2010
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
14
Limitations of Field Plate Effect Due to the Silicon Substr..:
Visalli, Domenica
;
Van Hove, Marleen
;
Derluyn, Joff
...
IEEE Transactions on Electron Devices. 57 (2010) 12 - p. 3333-3339 , 2010
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
15
Experimental and simulation study of breakdown voltage enha..:
Visalli, Domenica
;
Van Hove, Marleen
;
Srivastava, Puneet
...
Applied Physics Letters. 97 (2010) 11 - p. , 2010
Link:
https://doi.org/10.1063/..
1-15