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Dolginov, L M
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1
Temperature of Heating and Cooling of Massive, Thin, and We..:
Dement′ev, V. B.
;
Ivanova, T. N.
;
Dolginov, A. M.
Journal of Engineering Physics and Thermophysics. 90 (2017) 1 - p. 102-109 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
2
Properties of MIS structures prepared on InGaAsSb quaternar..:
Polyakov, A.Y.
;
Milnes, A.G.
;
Smirnov, N.B.
...
Solid-State Electronics. 37 (1994) 10 - p. 1691-1694 , 1994
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
The effect of Gd doping on carrier concentration in InGaAsS..:
Dolginov, L.M.
;
Tunitskaya, I.V.
;
Polyakov, A.Y.
...
Thin Solid Films. 251 (1994) 2 - p. 147-150 , 1994
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
Stability analysis of quaternary In Ga1−Sb As1− alloys:
Kazakov, A.I.
;
Kishmar, I.N.
;
Bochkarev, A.E.
.
Journal of Crystal Growth. 116 (1992) 1-2 - p. 204-212 , 1992
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
Water-content indicator for liquefied hydrocarbon gases:
Dolginov, L. M.
;
Dyatlov, V. N.
;
Pochter, V. M.
..
Measurement Techniques. 34 (1991) 7 - p. 734-735 , 1991
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
6
Continuous-wave lasing at room temperature in InGaSbAs/GaAl..:
Bochkarev, A É
;
Dolginov, L M
;
Drakin, A E
..
Soviet Journal of Quantum Electronics. 18 (1988) 11 - p. 1362-1363 , 1988
Link:
https://doi.org/10.1070/..
?
7
Injection InGaSbAs laser emitting at 2.4μ(300K):
Bochkarev, A É
;
Dolginov, L M
;
Drakin, A E
...
Soviet Journal of Quantum Electronics. 16 (1986) 10 - p. 1397-1397 , 1986
Link:
https://doi.org/10.1070/..
?
8
Injection InGaSbAs lasers emitting radiation of wavelengths..:
Bochkarev, A É
;
Dolginov, L M
;
Drakin, A E
...
Soviet Journal of Quantum Electronics. 15 (1985) 6 - p. 869-870 , 1985
Link:
https://doi.org/10.1070/..
?
9
Three-layer waveguide InGaAsP/lnP injection lasers:
Vasil'ev, M G
;
Dolginov, L M
;
Drakin, A E
...
Soviet Journal of Quantum Electronics. 14 (1984) 3 - p. 431-432 , 1984
Link:
https://doi.org/10.1070/..
?
10
Direction heterolasers based on GaInPAs/InP:
Bezotosnyi, V. V.
;
Bogatov, A. P.
;
Dolginov, L. M.
...
Journal of Soviet Laser Research. 5 (1984) 3 - p. 324-348 , 1984
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
11
Injection lasers based on AlGaAsSb/GaSb and InGaAsSb/GaSb h..:
Dolginov, M. L.
;
Drakin, A. E.
;
Druzhinina, L. V.
...
Journal of Soviet Laser Research. 5 (1984) 3 - p. 349-362 , 1984
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
12
Injection InGaAsP/lnP lasers with a threshold current densi..:
Dolginov, L M
;
Drakin, A E
;
Eliseev, P G
...
Soviet Journal of Quantum Electronics. 14 (1984) 4 - p. 439-441 , 1984
Link:
https://doi.org/10.1070/..
?
13
Continuous-wave injection lasers emitting in the 1.5–1.6 μ ..:
Dolginov, L M
;
Drakin, A E
;
Duraev, V P
...
Soviet Journal of Quantum Electronics. 12 (1982) 9 - p. 1127-1127 , 1982
Link:
https://doi.org/10.1070/..
?
14
Temperature dependences of the emission characteristics of ..:
Dolginov, L M
;
Duraev, V P
;
Eliseev, P G
...
Soviet Journal of Quantum Electronics. 12 (1982) 9 - p. 1237-1238 , 1982
Link:
https://doi.org/10.1070/..
?
15
Mode composition of radiation from mesastripe GalnPAs–lnP h..:
Bezotosnyĭ, V V
;
Dolginov, L M
;
Eliseev, P G
...
Soviet Journal of Quantum Electronics. 11 (1981) 9 - p. 1208-1209 , 1981
Link:
https://doi.org/10.1070/..
1-15