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Fernandes Paes Pinto Rocha, Pedro
31
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1
Effect of Al2O3 thickness and oxidant precursors on the int..:
Spelta, Tarek
;
Martinez, Eugénie
;
Veillerot, Marc
...
Surface and Interface Analysis. 56 (2024) 7 - p. 399-407 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
2
Impact of etching process on Al2O3/GaN interface for MOSc-H..:
Spelta, Tarek
;
Veillerot, Marc
;
Martinez, Eugénie
...
Solid-State Electronics. 208 (2023) - p. 108743 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Recent Developments and Prospects of Fully Recessed MIS Gat..:
Fernandes Paes Pinto Rocha, Pedro
;
Vauche, Laura
;
Pimenta-Barros, Patricia
...
Energies. 16 (2023) 7 - p. 2978 , 2023
Link:
https://doi.org/10.3390/..
?
4
L'HAXPES de laboratoire pour les nouvelles technologies en ..:
Martinez, Eugénie
;
Spelta, Tarek
;
Fernandes Paes Pinto Rocha, Pedro
...
cea-04196708. , 2023
Link:
https://cea.hal.science/..
?
5
L'HAXPES de laboratoire pour les nouvelles technologies en ..:
Martinez, Eugénie
;
Spelta, Tarek
;
Fernandes Paes Pinto Rocha, Pedro
...
cea-04196708. , 2023
Link:
https://cea.hal.science/..
?
6
L'HAXPES de laboratoire pour les nouvelles technologies en ..:
Martinez, Eugénie
;
Spelta, Tarek
;
Fernandes Paes Pinto Rocha, Pedro
...
cea-04196708. , 2023
Link:
https://cea.hal.science/..
?
7
Laboratory HAXPES of GaN structures for power electronic:
Martinez, Eugénie
;
Spelta, Tarek
;
Fernandes Paes Pinto Rocha, Pedro
...
cea-03689191. , 2022
Link:
https://cea.hal.science/..
?
8
Laboratory HAXPES of GaN structures for power electronic:
Martinez, Eugénie
;
Spelta, Tarek
;
Fernandes Paes Pinto Rocha, Pedro
...
cea-03689191. , 2022
Link:
https://cea.hal.science/..
?
9
Impact of Post-Deposition Anneal on ALD Al2O3/etched GaN In..:
Fernandes Paes Pinto Rocha, Pedro
;
Vauche, Laura
;
Mohamad, Blend
...
cea-03846232. , 2022
Link:
https://cea.hal.science/..
?
10
Laboratory HAXPES of GaN structures for power electronic:
Martinez, Eugénie
;
Spelta, Tarek
;
Fernandes Paes Pinto Rocha, Pedro
...
cea-03689191. , 2022
Link:
https://cea.hal.science/..
?
11
Impact of Post-Deposition Anneal on ALD Al2O3/etched GaN In..:
Fernandes Paes Pinto Rocha, Pedro
;
Vauche, Laura
;
Mohamad, Blend
...
cea-03846232. , 2022
Link:
https://cea.hal.science/..
?
12
Impact of Post-Deposition Anneal on ALD Al2O3/etched GaN In..:
Fernandes Paes Pinto Rocha, Pedro
;
Vauche, Laura
;
Mohamad, Blend
...
cea-03846232. , 2022
Link:
https://cea.hal.science/..
?
13
Impact of Nitrogen Concentration and Post‐Deposition Anneal..:
Rocha, Pedro Fernandes Paes Pinto
;
Zeghouane, Mohammed
;
Boubenia, Sarah
...
Advanced Electronic Materials. 10 (2023) 3 - p. , 2023
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
14
Recent Developments and Prospects of Fully Recessed MIS Gat..:
Pedro Fernandes Paes Pinto Rocha
;
Laura Vauche
;
Patricia Pimenta-Barros
...
F3: Power Electronics. , 2023
Link:
https://doi.org/10.3390/..
?
15
Synthesis of AlOxNy thin films using a two-step PE-ALD proc..:
Mohammed Zeghouane
;
Pedro Fernandes Paes Pinto Rocha
;
Sarah Boubenia
...
http://dx.doi.org/10.1063/5.0154468. , 2023
Link:
https://doi.org/10.1063/..
1-15
