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Ghosh, Bahniman
92
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Sortierung: Jahr
?
1
Nanoscale III–V on Si-based junctionless tunnel transistor ..:
Goswami, Yogesh
;
Asthana, Pranav
;
Ghosh, Bahniman
Journal of Semiconductors. 38 (2017) 5 - p. 054002 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
2
A simulation study of voltage-assisted low-energy switching..:
Ghosh, Bahniman
;
Dey, Rik
;
Register, Leonard F.
.
Journal of Computational Electronics. 16 (2017) 1 - p. 120-126 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
3
Spin relaxation in bilayer graphene: the role of electron–e..:
Katiyar, Saurabh
;
Ghosh, Bahniman
;
Salimath, Akshay Kumar
Applied Physics A. 122 (2016) 2 - p. , 2016
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
4
Voltage-controlled low-energy switching of nanomagnets thro..:
Ghosh, Bahniman
;
Dey, Rik
;
Register, Leonard F.
.
Journal of Applied Physics. 120 (2016) 3 - p. , 2016
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
5
A novel sub 20 nm single gate tunnel field effect transisto..:
Asthana, Pranav Kumar
;
Goswami, Yogesh
;
Ghosh, Bahniman
Journal of Semiconductors. 37 (2016) 5 - p. 054002 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
6
Performance analysis of STT-RAM with cross shaped free laye..:
Kumary, Tangudu Bharat
;
Ghosh, Bahniman
;
Awadhiya, Bhaskar
.
Journal of Semiconductors. 37 (2016) 1 - p. 014003 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
7
Compact analytical model of double gate junction-less field..:
Gupta, Shoubhik
;
Ghosh, Bahniman
;
Rahi, Shiromani Balmukund
Journal of Semiconductors. 36 (2015) 2 - p. 024001 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
8
First principle defect study of MoSe2 field effect transist..:
Ghosh, Bahniman
;
Kishor, Naval
Applied Physics B. 119 (2015) 2 - p. 297-303 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
9
Monte-Carlo simulation studies of the effect of temperature..:
Chishti, Sabiq
;
Ghosh, Bahniman
;
Bishnoi, Bhupesh
Journal of Semiconductors. 36 (2015) 2 - p. 022001 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
10
Adder design using a 5-input majority gate in a novel "mult..:
Kumar, Rohit
;
Ghosh, Bahniman
;
Gupta, Shoubhik
Journal of Semiconductors. 36 (2015) 4 - p. 045001 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
11
Micromagnetic analysis of Heusler alloy-based perpendicular..:
Ghosh, Bahniman
;
Dwivedi, Kshitij
Journal of Theoretical and Applied Physics. 9 (2015) 3 - p. 207-212 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
12
Effects of non-uniform doping on junctionless transistor:
Mondal, Partha
;
Ghosh, Bahniman
;
Bal, Punyasloka
..
Applied Physics A. 119 (2015) 1 - p. 127-132 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
13
Effect of defects on the electronic properties of WS2armcha..:
Ghosh, Bahniman
;
Gupta, Aayush
Journal of Semiconductors. 36 (2015) 1 - p. 013003 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
14
Dual metal-double gate tunnel field effect transistor with ..:
Jain, Prateek
;
Prabhat, Vishwa
;
Ghosh, Bahniman
Journal of Computational Electronics. 14 (2015) 2 - p. 537-542 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
15
Magnetization switching of a metallic nanomagnet via curren..:
Roy, Urmimala
;
Dey, Rik
;
Pramanik, Tanmoy
...
Journal of Applied Physics. 117 (2015) 16 - p. , 2015
Link:
https://doi.org/10.1063/..
1-15