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1
Doped and undoped ferroelectric HfO2: Role of Gd-doping in ..:
Alrifai, L.
;
Skopin, E. V.
;
Guillaume, N.
..
Applied Physics Letters. 123 (2023) 3 - p. , 2023
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
2
Sub-10-nm ferroelectric Gd-doped HfO2 layers:
Skopin, E. V.
;
Guillaume, N.
;
Alrifai, L.
..
Applied Physics Letters. 120 (2022) 17 - p. , 2022
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
3
Ag/HfO2-based conductive bridge memories elaborated by atom..:
Saadi, M.
;
Gonon, P.
;
Vallée, C.
...
Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 31 (2020) 16 - p. 13487-13495 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
4
Correlations between first-principles calculations and elec..:
Khaldi, O.
;
Jomni, F.
;
Gonon, P.
Journal of Applied Physics. 128 (2020) 13 - p. , 2020
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
5
High capacitance density of 185 nF/mm2 achieved in three-di..:
Chaker, A.
;
Gonon, P.
;
Vallée, C.
.
Applied Physics Letters. 110 (2017) 24 - p. , 2017
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
6
Reliability of HfO2metal–insulator–metal capacitors under A..:
Kassmi, M
;
Jomni, F
;
Gonon, P
...
Journal of Physics D: Applied Physics. 49 (2016) 16 - p. 165502 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
7
From MEMRISTOR to MEMImpedance device:
Wakrim, T.
;
Vallée, C.
;
Gonon, P.
..
Applied Physics Letters. 108 (2016) 5 - p. 053502 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
8
Understanding the mechanisms of interfacial reactions durin..:
Chaker, A.
;
Szkutnik, P. D.
;
Pointet, J.
...
Journal of Applied Physics. 120 (2016) 8 - p. , 2016
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
9
Low-frequency dielectric properties of intrinsic and Al-dop..:
Kassmi, M.
;
Pointet, J.
;
Gonon, P.
...
Journal of Applied Physics. 119 (2016) 24 - p. , 2016
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
10
On the mechanisms of cation injection in conducting bridge ..:
Saadi, M.
;
Gonon, P.
;
Vallée, C.
...
Journal of Applied Physics. 119 (2016) 11 - p. , 2016
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
11
Differences between direct current and alternating current ..:
Khaldi, O.
;
Gonon, P.
;
Vallée, C.
...
Journal of Applied Physics. 116 (2014) 8 - p. , 2014
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
12
Investigation of electrical properties of HfO2 metal–insula..:
Khaldi, O.
;
Jomni, F.
;
Gonon, P.
..
Applied Physics A. 116 (2014) 4 - p. 1647-1653 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
13
Experimental evaluation of the forming process of virgin Hf..:
Khaldi, O.
;
Jomni, F.
;
Gonon, P.
...
physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters. 8 (2014) 7 - p. 634-638 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
14
Change in Admittance of HfO2 Metal-Insulator-Metal (MIM) Ca..:
Khaldi, O.
;
Gonon, P.
;
Mannequin, C.
...
ECS Solid State Letters. 2 (2013) 5 - p. N15-N17 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
15
Publisher's Note: Dielectric Constant of Porous Ultra Low-κ..:
Jousseaume, V.
;
Gourhant, O.
;
Gonon, P.
..
Journal of The Electrochemical Society. 159 (2012) 5 - p. S11-S11 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1149/..
1-15