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Habchi, R.
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1
Highly porous and flexible capacitive humidity sensor based..:
Alrammouz, R.
;
Podlecki, J.
;
Vena, A.
...
Sensors and Actuators B: Chemical. 298 (2019) - p. 126892 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
High photodegradation and antibacterial activity of BN–Ag/T..:
Nasr, M.
;
Soussan, L.
;
Viter, R.
...
New Journal of Chemistry. 42 (2018) 2 - p. 1250-1259 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1039/..
?
3
Tunable properties of GO-doped CoFe2O4 nanofibers elaborate..:
Eid, C.
;
Assaf, E.
;
Habchi, R.
..
RSC Advances. 5 (2015) 118 - p. 97849-97854 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1039/..
?
4
Electrospray deposition and characterization of cobalt oxid..:
Kilo, O.
;
Jabbour, J.
;
Habchi, R.
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 24 (2014) - p. 57-61 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
Heat and mass transfer investigation of rotating hydrocarbo..:
Dgheim, J.
;
Abdallah, M.
;
Habchi, R.
.
Applied Mathematical Modelling. 36 (2012) 7 - p. 2935-2946 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
Evaluation of the electrical properties under extreme stres..:
Sidawi, J.
;
Abboud, N.
;
Jelian, G.
..
Microelectronics International. 28 (2011) 1 - p. 12-16 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1108/..
?
7
The effect of reverse current on the dark properties of pho..:
Sidawi, J.
;
Habchi, R.
;
Abboud, N.
...
Energy Procedia. 6 (2011) - p. 743-749 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
8
VDMOSFET reliability dependence on the integrated drain‐sou..:
El Bitar, R.
;
Habchi, R.
;
Salame, C.
...
Microelectronics International. 26 (2009) 1 - p. 33-36 , 2009
Link:
https://doi.org/10.1108/..
?
9
Switching times variation of MOSFET devices with temperatur..:
Habchi, R.
;
Salame, C.
;
El Bitar, R.
.
Microelectronics Journal. 39 (2008) 5 - p. 828-831 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
10
Silicon MOSFET devices electrical parameters evolution at h..:
Salame, C.
;
Habchi, R.
Microelectronics International. 25 (2007) 1 - p. 21-24 , 2007
Link:
https://doi.org/10.1108/..
?
11
Switching times variation of power MOSFET devices after ele..:
Habchi, R.
;
Salame, C.
;
Mialhe, P.
.
Microelectronics Reliability. 47 (2007) 8 - p. 1296-1299 , 2007
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
12
Temperature dependence of silicon power MOSFETs switching p..:
Habchi, R.
;
Salame, C.
;
Nsouli, B.
.
Microelectronics International. 23 (2006) 2 - p. 21-23 , 2006
Link:
https://doi.org/10.1108/..
?
13
Temperature dependence of a silicon power device switching ..:
Habchi, R.
;
Salame, C.
;
Khoury, A.
.
Applied Physics Letters. 88 (2006) 15 - p. , 2006
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
14
A faster power MOSFET device with electrical stress treatme..:
Salame, C.
;
Habchi, R.
;
Tazibt, W.
..
Microelectronics International. 22 (2005) 2 - p. 35-37 , 2005
Link:
https://doi.org/10.1108/..
?
15
Highly porous and flexible capacitive humidity sensor based..:
Alrammouz, R
;
Podlecki, Jean
;
Vena, A
...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.snb.2019.126892. , 2019
Link:
https://hal.science/hal-..
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