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Hilt, O.
80
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?
1
1.17 GW/cm² AlN-Based GaN-Channel HEMTs on Mono-Crystalline..:
Wolf, M.
;
Brunner, F.
;
Last, C.
...
IEEE Electron Device Letters. 45 (2024) 6 - p. 1048-1051 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
2
Low-resistive gate module for RF GaN-HFETs by electroplatin:
Yazdani, H
;
Thies, A
;
Stützle, P
...
Semiconductor Science and Technology. 39 (2024) 2 - p. 025007 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
3
Optimization of Vertical GaN Drift Region Layers for Avalan..:
Brusaterra, E.
;
Bahat Treidel, E.
;
Brunner, F.
...
IEEE Electron Device Letters. 44 (2023) 3 - p. 388-391 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
4
Isolation properties and failure mechanisms of vertical Pt ..:
Fregolent, M.
;
Boito, M.
;
Marcuzzi, A.
...
Microelectronics Reliability. 138 (2022) - p. 114644 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
The influence of the gate trench orientation to the crystal..:
, In:
2020 Device Research Conference (DRC)
,
Treidel, E. Bahat
;
Hilt, O.
;
Christopher, H.
... - p. 1-2 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
6
Vertical GaN MISFET for chip‐on‐chip high speed laser drivi..:
Bahat Treidel, E.
;
Christopher, H.
;
Hilt, O.
...
Electronics Letters. 56 (2020) 20 - p. 1084-1086 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1049/..
?
7
Dispersion effects in on‐state resistance of lateral Ga2O3M..:
Böcker, J.
;
Tetzner, K.
;
Heucke, S.
...
Electronics Letters. 56 (2020) 16 - p. 838-840 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1049/..
?
8
Vertical GaN n-channel MISFETs on ammonothermal GaN substra..:
Treidel, E. Bahat
;
Hilt, O.
;
Wolf, M.
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 91 (2019) - p. 146-150 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Temperature dependent dynamic on-state resistance in GaN-on..:
Bahat Treidel, E.
;
Hilt, O.
;
Bahat Treidel, O.
.
Microelectronics Reliability. 64 (2016) - p. 556-559 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
10
Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradat..:
Meneghini, M.
;
Hilt, O.
;
Fleury, C.
...
Microelectronics Reliability. 58 (2016) - p. 177-184 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
11
Effect of barrier recess on transport and electrostatic int..:
Capriotti, M.
;
Bahat Treidel, E.
;
Fleury, C.
...
Solid-State Electronics. 125 (2016) - p. 118-124 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
12
Investigation of gate-diode degradation in normally-off p-G..:
Ťapajna, M.
;
Hilt, O.
;
Bahat-Treidel, E.
..
Applied Physics Letters. 107 (2015) 19 - p. , 2015
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
13
Normally-off GaN Transistors for Power Applications:
Hilt, O
;
Bahat-Treidel, E
;
Brunner, F
...
Journal of Physics: Conference Series. 494 (2014) - p. 012001 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
14
Vertical Blocking Voltage Improvement of GaN HEMT Structure..:
Kotara, P.
;
Zhytnytska, R.
;
Hilt, O.
...
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2 (2013) 8 - p. N3064-N3067 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
15
Single- and double-heterostructure GaN-HEMTs devices for po..:
Zanandrea, A.
;
Bahat-Treidel, E.
;
Rampazzo, F.
...
Microelectronics Reliability. 52 (2012) 9-10 - p. 2426-2430 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-15