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Juillaguet, Sandrine
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1
Al‐Rich AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors on..:
Bassaler, Julien
;
Mehta, Jash
;
Abid, Idriss
...
Advanced Electronic Materials. , 2024
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
2
Low‐Temperature Electrical Transport Properties of Molecula..:
Konczewicz, Leszek
;
Juillaguet, Sandrine
;
Zajac, Marcin
...
physica status solidi (a). , 2023
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
3
Negative Magnetoresistivity in Highly Doped n-Type GaN:
Konczewicz, Leszek
;
Iwinska, Malgorzata
;
Litwin-Staszewska, Elzbieta
...
Materials. 15 (2022) 20 - p. 7069 , 2022
Link:
https://doi.org/10.3390/..
?
4
Comparative Study of p-Type 4H-SiC Grown on n-Type and Semi..:
Contreras, Sylvie
;
Konczewicz, Leszek
;
Arvinte, Roxana
...
Materials Science Forum. 897 (2017) - p. 275-278 , 2017
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
5
Influence of Growth Temperature on Site Competition Effects..:
Zielinski, Marcin
;
Chassagne, Thierry
;
Arvinte, Roxana
...
Materials Science Forum. 897 (2017) - p. 79-82 , 2017
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
6
p-Type Doping of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers with Alumi..:
Zielinski, Marcin
;
Arvinte, Roxana
;
Chassagne, Thierry
...
Materials Science Forum. 858 (2016) - p. 137-142 , 2016
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
7
Electrical Transport Properties of Highly Aluminum Doped p-..:
Contreras, Sylvie
;
Konczewicz, Leszek
;
Kwasnicki, Pawel
...
Materials Science Forum. 858 (2016) - p. 249-252 , 2016
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
8
Electrical transport properties of p-type 4H-SiC:
Contreras, Sylvie
;
Konczewicz, Leszek
;
Arvinte, Roxana
...
physica status solidi (a). 214 (2016) 4 - p. 1600679 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
9
Comparative Study of n-Type 4H-SiC: Raman vs Photoluminesce..:
Kwasnicki, Pawel
;
Arvinte, Roxana
;
Peyre, Hervé
..
Materials Science Forum. 821-823 (2015) - p. 237-240 , 2015
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
10
Influence of Site Competition Effects on Dopant Incorporati..:
Arvinte, Roxana
;
Zielinski, Marcin
;
Chassagne, Thierry
...
Materials Science Forum. 821-823 (2015) - p. 149-152 , 2015
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
11
Optical Characterization of p-Type 4H-SiC Epilayers:
Liaugaudas, Gediminas
;
Dargis, Donatas
;
Kwasnicki, Pawel
...
Materials Science Forum. 821-823 (2015) - p. 249-252 , 2015
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
12
Nitrogen Incorporation during Seeded Sublimation Growth of ..:
Tsavdaris, Nikolaos
;
Kwasnicki, Pawel
;
Ariyawong, Kanaparin
...
Materials Science Forum. 821-823 (2015) - p. 60-63 , 2015
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
13
Study of Geometrical Effects in Charge Pumping Current for ..:
Florentin, Matthieu
;
Rafi, Joan Marc
;
Chevalier, Florian
...
Materials Science Forum. 821-823 (2015) - p. 717-720 , 2015
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
14
Optical Investigation of 3C-SiC Hetero-Epitaxial Layers Gro..:
Kwasnicki, P.
;
Jokubavicius, V.
;
Sun, J.W.
...
Materials Science Forum. 778-780 (2014) - p. 243-246 , 2014
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
15
Ge incorporation inside 4H-SiC during homoepitaxial growth ..:
Alassaad, Kassem
;
Soulière, Véronique
;
Cauwet, François
...
Acta Materialia. 75 (2014) - p. 219-226 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-15