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Junige, Marcel
8
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1
Selectivity between SiO2 and SiNx during Thermal Atomic Lay..:
Junige, Marcel
;
George, Steven M.
Chemistry of Materials. , 2024
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
2
3D system integration on 300 mm wafer level: High-aspect-ra..:
Killge, Sebastian
;
Bartusseck, Irene
;
Junige, Marcel
...
Microelectronic Engineering. 205 (2019) - p. 20-25 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
High-Definition Nanoimprint Stamp Fabrication by Atomic Lay..:
Khan, Sabbir A.
;
Suyatin, Dmitry B.
;
Sundqvist, Jonas
...
ACS Applied Nano Materials. 1 (2018) 6 - p. 2476-2482 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
4
Atomic layer deposition for high aspect ratio through silic..:
Knaut, Martin
;
Junige, Marcel
;
Neumann, Volker
...
Microelectronic Engineering. 107 (2013) - p. 80-83 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
In-situ analysis on the initial growth of ultra-thin ruthen..:
Geidel, Marion
;
Junige, Marcel
;
Albert, Matthias
.
Microelectronic Engineering. 107 (2013) - p. 151-155 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
Untersuchung und Optimierung eines plasmagestützten Ruthen..
Studienarbeit
, 2009
Link:
http://edok01.tib.uni-ha..
?
7
Atomic layer deposition of Al²O³ on NF³-pre-treated graphen:
Junige, Marcel
;
Oddoy, Tim
;
Yakimovab, Rositsa
...
10.1117/12.2181242. , 2015
Link:
https://nbn-resolving.or..
?
8
Entwicklung und Charakterisierung eines Prozesses zur therm..:
Junige, Marcel
urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-65342. , 2011
Link:
https://nbn-resolving.or..
1-8