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1
Minority carrier lifetime in HgCdTe(100) epilayers and thei..:
Kopytko, M
;
Sobieski, J
;
Gawron, W
..
Semiconductor Science and Technology. 36 (2021) 5 - p. 055003 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
2
Molecular beam epitaxy growth and characterization of inter..:
Kubiszyn, Ł.
;
Benyahia, D.
;
Michalczewski, K.
...
Journal of Crystal Growth. 534 (2020) - p. 125512 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Higher Operating Temperature IR Detectors of the MOCVD Grow..:
Madejczyk, P.
;
Gawron, W.
;
Kębłowski, A.
...
Journal of Electronic Materials. 49 (2020) 11 - p. 6908-6917 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
4
High operating temperature LWIR and VLWIR InAs1−xSbx optica..:
Kubiszyn, Ł.
;
Michalczewski, K.
;
Benyahia, D.
...
Infrared Physics & Technology. 97 (2019) - p. 116-122 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
Molecular beam epitaxy growth of InAs/AlSb superlattices on..:
Benyahia, D.
;
Kubiszyn, Ł.
;
Michalczewski, K.
...
Journal of Crystal Growth. 522 (2019) - p. 125-127 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
Numerical analysis of HgCdTe dual-band infrared detector:
Kopytko, M.
;
Gawron, W.
;
Kębłowski, A.
...
Optical and Quantum Electronics. 51 (2019) 3 - p. , 2019
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
7
Electrical Properties of Midwave and Longwave InAs/GaSb Sup..:
Benyahia, D.
;
Kubiszyn, Ł.
;
Michalczewski, K.
...
Nanoscale Research Letters. 13 (2018) 1 - p. , 2018
Link:
https://doi.org/10.1186/..
?
8
Study on the specific contact resistance of evaporated or e..:
Boguski, J.
;
Kolwas, K.
;
Kubiszyn, Ł.
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 81 (2018) - p. 60-63 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Optimization of the interfacial misfit array growth mode of..:
Benyahia, D.
;
Kubiszyn, Ł.
;
Michalczewski, K.
...
Journal of Crystal Growth. 483 (2018) - p. 26-30 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
10
Investigation on the InAs1–xSbxepilayers growth on GaAs (00..:
Benyahia, D.
;
Kubiszyn, Ł.
;
Michalczewski, K.
...
Journal of Semiconductors. 39 (2018) 3 - p. 033003 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
11
Investigation of hillocks formation on (1 0 0) HgCdTe layer..:
Kębłowski, A.
;
Kopytko, M.
;
Młynarczyk, K.
...
Infrared Physics & Technology. 84 (2017) - p. 87-93 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
12
Interfacial Misfit Array Technique for GaSb Growth on GaAs ..:
Benyahia, D.
;
Kubiszyn, Ł.
;
Michalczewski, K.
...
Journal of Electronic Materials. 47 (2017) 1 - p. 299-304 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
13
Optimization of a HOT LWIR HgCdTe Photodiode for Fast Respo..:
Kopytko, M.
;
Kębłowski, A.
;
Madejczyk, P.
...
Journal of Electronic Materials. 46 (2017) 10 - p. 6045-6055 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
14
Recent progress in LWIR HOT photoconductors based on MOCVD ..:
Gawron, W
;
Kębłowski, A
;
Kopytko, M
...
Semiconductor Science and Technology. 31 (2016) 10 - p. 105004 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
15
LWIR HgCdTe barrier photodiode with Auger-suppression:
Kopytko, M
;
Kębłowski, A
;
Gawron, W
.
Semiconductor Science and Technology. 31 (2016) 3 - p. 035025 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1088/..
1-15