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Kazuya Ohuchi, Kazuya Ohuchi
35
Ergebnisse:
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Online (35)
Medientypen
Artikel (Online) (26)
Buchkapitel (Online) (3)
OpenAccess-Volltexte (6)
Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
A High-Performance 0.05 µm SOI MOS FET: Possibility of Velo..:
Kazuya Ohuchi, Kazuya Ohuchi
;
Ryuji Ohba, Ryuji Ohba
;
Hiromi Niiyama, Hiromi Niiyama
..
Japanese Journal of Applied Physics. 35 (1996) 2S - p. 960 , 1996
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
2
Influence of Primary Particle Morphology and Hydrophilicity..:
Li, Shanglin
;
Chen, Zhaoyue
;
Yamamoto, Kentaro
...
Advanced Materials Interfaces. 11 (2024) 7 - p. , 2024
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
3
Improvement of Line-to-line TDDB by Cu and Barrier-metal Re..:
, In:
2022 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC)
,
Noda, Mitsuhiko
;
Fujii, Kotaro
;
Yanai, Naomi
... - p. 45-47 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
4
Foreword:
, In:
2016 16th International Workshop on Junction Technology (IWJT)
,
Yu-Long Jiang
;
Ohuchi, Kazuya
;
Qin, Shu
- p. 1-1 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
5
Accurate Method of Measuring Specific Contact Resistivity o..:
Ohuchi, Kazuya
;
Lavoie, Christian
;
Yang, Bin
...
Japanese Journal of Applied Physics. 51 (2012) 10R - p. 101302 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
6
Foreword:
, In:
2012 12th International Workshop on Junction Technology
,
Yu-Long Jiang
;
Shishiguchi, Seiichi
;
Ohuchi, Kazuya
... - p. 1-1 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
7
Accurate Method of Measuring Specific Contact Resistivity o..:
Ohuchi, Kazuya
;
Lavoie, Christian
;
Yang, Bin
...
Japanese Journal of Applied Physics. 51 (2012) 10R - p. 101302 , 2012
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
8
Accurate Measurement of Silicide Specific Contact Resistivi..:
Ohuchi, Kazuya
;
Kusunoki, Naoki
;
Matsuoka, Fumitomo
Japanese Journal of Applied Physics. 50 (2011) 4S - p. 04DA03 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
9
Accurate Measurement of Silicide Specific Contact Resistivi..:
Ohuchi, Kazuya
;
Kusunoki, Naoki
;
Matsuoka, Fumitomo
Japanese Journal of Applied Physics. 50 (2011) 4S - p. 04DA03 , 2011
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
10
Material and Integration Issues for Rare Earth Silicides as..:
D'Emic, Christopher P.
;
Ohuchi, Kazuya
;
Murray, Conal
...
ECS Transactions. 13 (2008) 1 - p. 389-396 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
11
Silicides for 22nm and Beyond:
Besser, Paul R.
;
Lavoie, Christian
;
Murray, Conal
..
ECS Transactions. 13 (2008) 1 - p. 377-388 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
12
A high performance pMOSFET with two-step recessed SiGe-S/D ..:
Yasutake, Nobuaki
;
Azuma, Atsushi
;
Ishida, Tatsuya
...
Solid-State Electronics. 51 (2007) 11-12 - p. 1437-1443 , 2007
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
13
Role of host plant volatile in the host-finding behavior of..:
Hori, Masatoshi
;
Ohuchi, Kazuya
;
Matsuda, Kazuhiro
Applied Entomology and Zoology. 41 (2006) 2 - p. 357-363 , 2006
Link:
https://doi.org/10.1303/..
?
14
Suppression of Thermally Induced Leakage of NiSi-Silicided ..:
Tsuchiaki, Masakatsu
;
Ohuchi, Kazuya
;
Nishiyama, Akira
Japanese Journal of Applied Physics. 44 (2005) 4R - p. 1673 , 2005
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
15
Junction Leakage Generation by NiSi Thermal Instability Cha..:
Tsuchiaki, Masakatsu
;
Ohuchi, Kazuya
;
Hongo, Chie
Japanese Journal of Applied Physics. 43 (2004) 8R - p. 5166 , 2004
Link:
https://doi.org/10.1143/..
1-15