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Kom Kammeugne, R.
14
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1
New insights into low frequency noise (LFN) sources analysi..:
Kom Kammeugne, R.
;
Theodorou, C.
;
Leroux, C.
...
Solid-State Electronics. 200 (2023) - p. 108555 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Accurate statistical extraction of AlGaN/GaN HEMT device pa..:
Kom Kammeugne, R.
;
Leroux, C.
;
Cluzel, J.
...
Solid-State Electronics. 184 (2021) - p. 108078 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Thorough Investigation of Low Frequency Noise Mechanisms in..:
, In:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
,
Kammeugne, R. Kom
;
Theodorou, C.
;
Leroux, C.
... - p. 39.4.1-39.4.4 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
4
Accurate statistical extraction of AlGaN/GaN HEMT device pa..:
Kom Kammeugne, R
;
Leroux, C
;
Cluzel, J
...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.sse.2021.108078. , 2021
Link:
https://cea.hal.science/..
?
5
Accurate statistical extraction of AlGaN/GaN HEMT device pa..:
Kom Kammeugne, R
;
Leroux, C
;
Cluzel, J
...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.sse.2021.108078. , 2021
Link:
https://cea.hal.science/..
?
6
Accurate statistical extraction of AlGaN/GaN HEMT device pa..:
Kom Kammeugne, R
;
Leroux, C
;
Cluzel, J
...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.sse.2021.108078. , 2021
Link:
https://cea.hal.science/..
?
7
Accurate statistical extraction of AlGaN/GaN HEMT device pa..:
Kom Kammeugne, R
;
Leroux, C
;
Cluzel, J
...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1016/j.sse.2021.108078. , 2021
Link:
https://cea.hal.science/..
?
8
Thorough investigation of low frequency noise mechanisms in..:
Kammeugne, R. Kom
;
Theodorou, Christoforos
;
Leroux, C
...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/IEDM19574.2021.9720522. , 2021
Link:
https://hal.science/hal-..
?
9
Thorough investigation of low frequency noise mechanisms in..:
Kammeugne, R. Kom
;
Theodorou, Christoforos
;
Leroux, C
...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/IEDM19574.2021.9720522. , 2021
Link:
https://hal.science/hal-..
?
10
Thorough investigation of low frequency noise mechanisms in..:
Kammeugne, R. Kom
;
Theodorou, Christoforos
;
Leroux, C
...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/IEDM19574.2021.9720522. , 2021
Link:
https://hal.science/hal-..
?
11
Thorough investigation of low frequency noise mechanisms in..:
Kammeugne, R. Kom
;
Theodorou, Christoforos
;
Leroux, C
...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/IEDM19574.2021.9720522. , 2021
Link:
https://hal.science/hal-..
?
12
Thorough investigation of low frequency noise mechanisms in..:
Kammeugne, R. Kom
;
Theodorou, Christoforos
;
Leroux, C
...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/IEDM19574.2021.9720522. , 2021
Link:
https://hal.science/hal-..
?
13
On-Wafer Drain Current Variability in GaN MIS-HEMT on 200-m..:
Kammeugne, Romeo Kom
;
Leroux, Charles
;
Theodorou, Christoforos
...
Journal of Electronics and Electrical Engineering. , 2023
Link:
https://doi.org/10.37256..
?
14
In Depth Parasitic Capacitance Analysis on GaN-HEMTs with R..:
Kammeugne, Romeo Kom
;
Leroux, Charles
;
Frutuoso, Tadeu Mota
...
Journal of Electronics and Electrical Engineering. , 2022
Link:
https://doi.org/10.37256..
1-14
