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Komsa, H-P
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1
Substitutional carbon doping of free-standing and Ru-suppor..:
Berseneva, N
;
Komsa, H-P
;
Vierimaa, V
...
Journal of Physics: Condensed Matter. 29 (2017) 41 - p. 415301 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
2
Nitrogen interstitial defects in GaAs:
Laaksonen, K
;
Komsa, H-P
;
Rantala, T T
.
Journal of Physics: Condensed Matter. 20 (2008) 23 - p. 235231 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
3
Band offset determination of the GaAs/GaAsN interface using..:
Komsa, H-P
;
Arola, E
;
Larkins, E
.
Journal of Physics: Condensed Matter. 20 (2008) 31 - p. 315004 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
4
Computational study of GaAs1−xNxand GaN1−yAsyalloys and ars..:
Laaksonen, K
;
Komsa, H-P
;
Arola, E
..
Journal of Physics: Condensed Matter. 18 (2006) 44 - p. 10097-10114 , 2006
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
5
Low-energy Se ion implantation in MoS2 monolayers:
Bui, MN
;
Rost, S
;
Auge, M
...
https://eprints.whiterose.ac.uk/189100/1/s41699-022-00318-4.pdf. , 2022
Link:
https://eprints.whiteros..
?
6
Local vibrational modes of Si vacancy spin qubits in SiC:
Shang, Z
;
Hashemi, A
;
Berencen, Y
...
Physical Review B. , 2020
Link:
https://aaltodoc.aalto.f..
1-6