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Krencius, L
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Time of carrier escape and recombination coefficients in In..:

Reklaitis, I ; Krencius, L ; Malinauskas, T...
Semiconductor Science and Technology.  34 (2018)  1 - p. 015007 , 2018
Link: https://doi.org/10.1088/..
 
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InGaN šviestuko temperatūros įtakos rekombinacijos koeficie..:

Krencius, Linas
http://vu.oai.elaba.lt/documents/29825105.pdf.  , 2018
Link: http://vu.oai.elaba.lt/d..
 
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InGaN šviestuko temperatūros įtakos rekombinacijos koeficie..:

Krencius, Linas
http://vu.oai.elaba.lt/documents/29825105.pdf.  , 2018
Link: http://vu.oai.elaba.lt/d..
 
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InGaN šviestuko temperatūros įtakos rekombinacijos koeficie..:

Krencius, Linas
https://epublications.vu.lt/object/elaba:29825105/29825105.pdf.  , 2018
Link: https://repository.vu.lt..
 
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