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Kristína Hušeková
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?
1
Thermal stability of rhombohedral α- and monoclinic β-Ga2O3..:
Gucmann, Filip
;
Nádaždy, Peter
;
Hušeková, Kristína
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 156 (2023) - p. 107289 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Invited: Liquid-injection MOCVD-grown Ga2O3 on sapphire and..:
, In:
2023 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)
,
Tapajna, Milan
;
Egyenes, Fridrich
;
Hrubisak, Fedor
... - p. 1-4 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
3
Phase‐Dependent Phonon Heat Transport in Nanoscale Gallium ..:
Xiao, Xinglin
;
Mao, Yali
;
Meng, Biwei
...
Small. 20 (2023) 21 - p. , 2023
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
4
Conductance anisotropy of MOCVD-grown α-Ga2O3 films caused ..:
Egyenes, Fridrich
;
Gucmann, Filip
;
Rosová, Alica
...
Journal of Physics D: Applied Physics. , 2022
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
5
Structure and Thermal Stability of ε/κ-Ga2O3 Films Deposite..:
Dobročka, Edmund
;
Gucmann, Filip
;
Hušeková, Kristína
...
Materials. 16 (2022) 1 - p. 20 , 2022
Link:
https://doi.org/10.3390/..
?
6
Raman spectroscopy of silicon with nanostructured surface:
Kadlečíková, Magdaléna
;
Vančo, Ľubomír
;
Breza, Juraj
...
Optik. 257 (2022) - p. 168869 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
7
Si-Based Metal–Insulator–Semiconductor Structures with RuO2..:
Sahoo, Prangya P.
;
Mikolášek, Miroslav
;
Hušeková, Kristína
...
ACS Applied Energy Materials. 4 (2021) 10 - p. 11162-11172 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
8
Development and characterisation of photoelectrochemical MI..:
Mikolášek, Miroslav
;
Fröhlich, Karol
;
Hušeková, Kristína
...
Journal of Electrical Engineering. 72 (2021) 3 - p. 203-207 , 2021
Link:
https://doi.org/10.2478/..
?
9
Effect of porous silicon substrate on structural, mechanica..:
Brytavskyi, Ievgen
;
Hušeková, Kristína
;
Myndrul, Valerii
...
Applied Surface Science. 471 (2019) - p. 686-693 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
10
Creation of Two‐Dimensional Electron Gas and Role of Surfac..:
Gucmann, Filip
;
Ťapajna, Milan
;
Pohorelec, Ondrej
...
physica status solidi (a). 215 (2018) 24 - p. , 2018
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
11
Silicon based MIS photoanode for water oxidation: A compari..:
Mikolasek, Miroslav
;
Frohlich, Karol
;
Husekova, Kristina
...
Applied Surface Science. 461 (2018) - p. 48-53 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
12
Nanoscale Characterization of TiO2 Films Grown by Atomic La..:
Murakami, Katsuhisa
;
Rommel, Mathias
;
Hudec, Boris
...
ACS Applied Materials & Interfaces. 6 (2014) 4 - p. 2486-2492 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
13
Atomic layer deposition of high-quality Al2O3 and Al-doped ..:
Aarik, Lauri
;
Arroval, Tõnis
;
Rammula, Raul
...
Thin Solid Films. 565 (2014) - p. 19-24 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
14
ZrO2/InAlN/GaN Metal–Oxide–Semiconductor Heterostructure Fi..:
Gregušová, Dagmar
;
Hušeková, Kristína
;
Stoklas, Roman
...
Japanese Journal of Applied Physics. 52 (2013) 8S - p. 08JN07 , 2013
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
15
Atomic layer deposition of rutile-phase TiO2 on RuO2 from T..:
Aarik, Jaan
;
Arroval, Tõnis
;
Aarik, Lauri
...
Journal of Crystal Growth. 382 (2013) - p. 61-66 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-15