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MAILIG, Rengie Mark D.
4  Ergebnisse:
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1

Ferroelectric Gate Field-Effect Transistors with 10nm Thick..:

KIM, Min Gee ; KATAOKA, Masakazu ; MAILIG, Rengie Mark D..
IEICE Transactions on Electronics.  E103.C (2020)  6 - p. 280-285 , 2020
Link: https://doi.org/10.1587/..
 
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2

The Evaluation of the Interface Properties of PdEr-Silicide..:

MAILIG, Rengie Mark D. ; KIM, Min Gee ; OHMI, Shun-ichiro
IEICE Transactions on Electronics.  E103.C (2020)  6 - p. 286-292 , 2020
Link: https://doi.org/10.1587/..
 
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3

Low Temperature Formation of Pd2Si with TiN Encapsulating L..:

MAILIG, Rengie Mark D. ; OHMI, Shun-ichiro
IEICE Transactions on Electronics.  E102.C (2019)  6 - p. 447-452 , 2019
Link: https://doi.org/10.1587/..
 
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4

Etching Control of HfN Encapsulating Layer for PtHf-Silicid..:

OHMI, Shun-ichiro ; TSUKAMOTO, Yuya ; MAILIG, Rengie Mark D.
IEICE Transactions on Electronics.  E102.C (2019)  6 - p. 453-457 , 2019
Link: https://doi.org/10.1587/..
 
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