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Menezla, R
9
Ergebnisse:
Personensuche
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Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
Two-dimensional simulation of the effects of grain boundari..:
Amrani, M
;
Benamara, Z
;
Menezla, R
...
Journal of Physics D: Applied Physics. 38 (2005) 4 - p. 596-603 , 2005
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
2
Experimental analysis and 2D-simulation of C–V characterist..:
Amrani, M.
;
Benseddik, N.
;
Benamara, Z.
...
Materials Science and Engineering: B. 121 (2005) 1-2 - p. 71-76 , 2005
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Study of lateral polysilicon PN diodes C–V characteristics:..:
Amrani, M
;
Sehil, H
;
Menezla, R
..
Solid-State Electronics. 42 (1998) 11 - p. 1925-1931 , 1998
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
Characterization of the polysilicon thin film transistors e..:
Sehil, H.
;
Rahmani, N.M.
;
Pichon, L.
...
Synthetic Metals. 90 (1997) 3 - p. 181-185 , 1997
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
Simulation of the high frequency C–V characteristics of lat..:
Amrani, M
;
Menezla, R
;
Sehil, H
...
Materials Science and Engineering: B. 49 (1997) 3 - p. 197-201 , 1997
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
Simulating and modeling the breakdown voltage in a semi-ins..:
Resfa, A.
;
Menezla, Brahimi R.
;
Benchhima, M.
Journal of Semiconductors. 35 (2014) 8 - p. 084002 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
7
Study and modeling of the breakdown voltage in semi insulat..:
Resfa, A.
;
Menezla, Brahimi R.
;
Bougueneya, Mustapha
Superlattices and Microstructures. 72 (2014) - p. 352-369 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
8
Study and modeling of the transport mechanism in a semi ins..:
Resfa, A.
;
Smahi, Bourzig Y.
;
Menezla, Brahimi.R.
Superlattices and Microstructures. 52 (2012) 3 - p. 364-375 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Study and modeling of the transport mechanism in a Schottky..:
Resfa, A.
;
Smahi, Bourzig Y
;
Menezla, Brahimi R
Journal of Semiconductors. 32 (2011) 12 - p. 124001 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1088/..
1-9