Enders Neto, Bernhard Georg ; Lima, Fábio Menezes de Souza ; Fonseca, Antonio Luciano de Almeida.. ENDERS NETO, B. G. et al. Effect of non-abrupt doping and interfacial profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells. Brazilian Journal of Physics, São Paulo, v. 39, n, 1A, p. 252-255, abr. 2009. Disponível em: . Acesso em: 01 dez. 2010..
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2009
Enders Neto, Bernhard Georg ENDERS NETO, Bernhard Georg. Efeito de campos elétricos, dopagens não-abruptas e interfaces graduais na estrutura eletrônica de poços quânticos de GaAs/AlGaAs e GaN/AlGaN. 110 f. 2007. Tese (Doutorado em Física)-Universidade de Brasília, Brasília, 2007..
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2007