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Paranthoen, C.
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1
Quantum dot membrane external-cavity surface-emitting laser..:
Phung, H.-M.
;
Tatar-Mathes, P.
;
Paranthoën, C.
...
Applied Physics Letters. 118 (2021) 23 - p. , 2021
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
2
3.3 µm interband-cascade resonant-cavity light-emitting dio..:
Díaz-Thomas, D A
;
Stepanenko, O
;
Bahriz, M
...
Semiconductor Science and Technology. 35 (2020) 12 - p. 125029 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
3
InAs/InP quantum dot VECSEL emitting at 1.5 μm:
Nechay, K.
;
Mereuta, A.
;
Paranthoen, C.
...
Applied Physics Letters. 115 (2019) 17 - p. , 2019
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
4
InP-based devices integrating liquid crystals microcells fo..:
, In:
2019 Compound Semiconductor Week (CSW)
,
Levallois, C.
;
Boisnard, B.
;
Paranthoen, C.
... - p. 1-2 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
5
23 and 39 GHz low phase noise monosection InAs/InP (113)B q..:
Klaime, K.
;
Calò, C.
;
Piron, R.
...
Optics Express. 21 (2013) 23 - p. 29000 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1364/..
?
6
Enhancement of the polarization stability of a 155 µm emitt..:
Gauthier, J.-P.
;
Paranthoën, C.
;
Levallois, C.
...
Optics Express. 20 (2012) 15 - p. 16832 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1364/..
?
7
Oxide-confined mid-infrared VCSELs:
Laaroussi, Y.
;
Almuneau, G.
;
Rumeau, A.
...
Electronics Letters. 48 (2012) 25 - p. 1616-1618 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1049/..
?
8
Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs ..:
Salman, S.
;
Folliot, H.
;
Le Pouliquen, J.
...
Materials Science and Engineering: B. 177 (2012) 11 - p. 882-886 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Sputtered hydrogenated amorphous silicon thin films for dis..:
Shuaib, A.
;
Levallois, C.
;
Gauthier, J.P.
...
Thin Solid Films. 519 (2011) 18 - p. 6178-6182 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
10
Tunable semiconductor vertical-cavity surface-emitting lase..:
Castany, O.
;
Dupont, L.
;
Shuaib, A.
...
Applied Physics Letters. 98 (2011) 16 - p. , 2011
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
11
Polarization control of 1.6 μm vertical-cavity surface-emit..:
Lamy, J. M.
;
Paranthoen, C.
;
Levallois, C.
...
Applied Physics Letters. 95 (2009) 1 - p. , 2009
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
12
Design of an InGaAs/InP 1.55 μm electrically pumped VCSEL:
Lamy, J.-M.
;
Boyer-Richard, S.
;
Levallois, C.
...
Optical and Quantum Electronics. 40 (2008) 14-15 - p. 1193-1198 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
13
Negative characteristic temperature of long wavelength InAs..:
Alghoraibi, I.
;
Rohel, T.
;
Piron, R.
...
Applied Physics Letters. 91 (2007) 26 - p. , 2007
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
14
Characterization of InAs quantum wires on (001)InP: toward ..:
Lamy, J.‐M.
;
Levallois, C.
;
Nakhar, A.
...
physica status solidi (a). 204 (2007) 6 - p. 1672-1676 , 2007
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
15
Increase of charge-carrier redistribution efficiency in a l..:
Cornet, C.
;
Hayne, M.
;
Caroff, P.
...
Physical Review B. 74 (2006) 24 - p. , 2006
Link:
https://doi.org/10.1103/..
1-15