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1
On-Wafer Dynamic Operation of Power GaN-HEMTs: Degradation ..:
, In:
2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
,
Boito, M.
;
Fregolent, M.
;
De Santi, C.
... - p. 1-5 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
2
AWARENESS AND USE OF STATE FAMILY PLANNING PROGRAMS AMONG C..:
Yarger, J
;
Hopkins, K
;
Rossetto, I
..
Contraception. 127 (2023) - p. 110251 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
P054Medication abortion via telemedicine: Interest among yo..:
Harper, CC
;
Elmes, S
;
Yarger, J
...
Contraception. 116 (2022) - p. 86 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
P078Use of direct-to-consumer telemedicine companies for co..:
Yarger, J
;
Elmes, S
;
Rossetto, I
...
Contraception. 116 (2022) - p. 91 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
Review on the degradation of GaN-based lateral power transi..:
De Santi, C.
;
Buffolo, M.
;
Rossetto, I.
...
e-Prime - Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy. 1 (2021) - p. 100018 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
POSTER ABSTRACTS:
Yarger, J
;
Hopkins, K
;
Elmes, S
...
Contraception. 104 (2021) 4 - p. 466 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
7
Transmission line pulse (TLP) as integrative method for the..:
Merlo, L.
;
Rossetto, I.
;
Cerati, L.
...
Microelectronics Reliability. 100-101 (2019) - p. 113463 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
8
Field- and current-driven degradation of GaN-based power HE..:
Rossetto, I.
;
Meneghini, M.
;
Canato, E.
...
Microelectronics Reliability. 76-77 (2017) - p. 298-303 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Reliability and parasitic issues in GaN-based power HEMTs: ..:
Meneghesso, G
;
Meneghini, M
;
Rossetto, I
...
Semiconductor Science and Technology. 31 (2016) 9 - p. 093004 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
10
Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradat..:
Meneghini, M.
;
Hilt, O.
;
Fleury, C.
...
Microelectronics Reliability. 58 (2016) - p. 177-184 , 2016
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
11
Impact of gate insulator on the dc and dynamic performance ..:
Rossetto, I.
;
Meneghini, M.
;
Bisi, D.
...
Microelectronics Reliability. 55 (2015) 9-10 - p. 1692-1696 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
12
Impact of proton fluence on DC and trapping characteristics..:
Rossetto, I.
;
Rampazzo, F.
;
Gerardin, S.
...
Solid-State Electronics. 113 (2015) - p. 15-21 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
13
Effects of buffer compensation strategies on the electrical..:
Bisi, D.
;
Stocco, A.
;
Rossetto, I.
...
Microelectronics Reliability. 55 (2015) 9-10 - p. 1662-1666 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
14
Influence of different carbon doping on the performance and..:
Rossetto, I.
;
Rampazzo, F.
;
Meneghini, M.
...
Microelectronics Reliability. 54 (2014) 9-10 - p. 2248-2252 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
15
Reverse-bias stress of high electron mobility transistors: ..:
Rossetto, I.
;
Meneghini, M.
;
Meneghesso, G.
.
Microelectronics Reliability. 53 (2013) 9-11 - p. 1456-1460 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-15