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Sadwick, L.P.
27
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OpenAccess-Volltexte (3)
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?
1
Chemical beam epitaxial growth of GaInP using uncracked tri..:
Ryu, H. H.
;
Jeon, M. H.
;
Leem, J. Y.
...
Journal of Materials Science. 41 (2006) 24 - p. 8265-8270 , 2006
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
2
500oC Electronics for Harsh Environments:
, In:
2005 IEEE Aerospace Conference
,
Sadwick, L.P.
;
Hwu, R.J.
;
Chern, J.H.
... - p. 1-11 , 2005
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
3
Formation of microtwins in TmP/GaAs heterostructures:
Lin, C.H.
;
Hwu, R.J.
;
Sadwick, L.P.
Journal of Crystal Growth. 247 (2003) 1-2 - p. 77-83 , 2003
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
Investigation of crystal properties of TmP/GaAs and GaAs/Tm..:
Lin, C. H.
;
Hwu, R. J.
;
Sadwick, L. P.
Journal of Materials Research. 16 (2001) 11 - p. 3266-3273 , 2001
Link:
https://doi.org/10.1557/..
?
5
Magnetization-controlled spin transport in DyAs/GaAs layers:
Mao, J. M.
;
Zudov, M. E.
;
Du, R. R.
...
Journal of Applied Physics. 87 (2000) 9 - p. 5170-5172 , 2000
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
6
Magnetic properties of DyAs and DyP (001) films:
Rush, E.
;
Wu, L.
;
Tsui, F.
...
Journal of Applied Physics. 85 (1999) 8 - p. 4970-4972 , 1999
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
7
Epitaxial growth and characterization of DyP/GaAs, DyAs/GaA..:
Lee, P. P.
;
Hwu, R. J.
;
Sadwick, L. P.
...
Journal of Electronic Materials. 27 (1998) 5 - p. 405-408 , 1998
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
8
Growth and characterization of DyP/GaAs and DyAs/GaAs-based..:
Lee, P.P.
;
Hwu, R.J.
;
Sadwick, L.P.
...
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2 (1998) 1-4 - p. 358-362 , 1998
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Chemical beam epitaxial growth of inp using EDMIn and BPE:
Kim, C. W.
;
Sadwick, L. P.
;
Stringfellow, G. B.
Journal of Electronic Materials. 26 (1997) 4 - p. 355-360 , 1997
Link:
https://doi.org/10.1007/..
?
10
A comparison of the reactions of phosphorus precursors on d..:
Hill, C.W.
;
Stringfellow, G.B.
;
Sadwick, L.P.
Journal of Crystal Growth. 181 (1997) 4 - p. 321-325 , 1997
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
11
Structural and electrical characterization of epitaxial DyP..:
, In:
Compound Semiconductors 1997. Proceedings of the IEEE Twenty-Fourth International Symposium on Compound Semiconductors
,
Lee, P.P.
;
Hwu, R.J.
;
Sadwick, L.P.
... - p. 159,160,161,162 , 1997
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
12
Chemical beam epitaxy of InP without precracking using tert..:
Ryu, H.H.
;
Sadwick, L.P.
;
Stringfellow, G.B.
..
Journal of Crystal Growth. 172 (1997) 1-2 - p. 1-4 , 1997
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
13
Epitaxial dysprosium phosphide grown by gas-source and soli..:
Sadwick, L.P.
;
Lee, P.P.
;
Patel, M.
...
Journal of Crystal Growth. 164 (1996) 1-4 - p. 285-290 , 1996
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
14
CBE growth of InP using BPE and TBP: a comparative study:
Kim, C.W.
;
Stringfellow, G.B.
;
Sadwick, L.P.
Journal of Crystal Growth. 164 (1996) 1-4 - p. 104-111 , 1996
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
15
Tris-dimethylaminophosphorus reactions at low pressure on G..:
Hill, C.W.
;
Stringfellow, G.B.
;
Sadwick, L.P.
Journal of Crystal Growth. 162 (1996) 1-2 - p. 1-6 , 1996
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-15