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Sedghi, N. A
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1
Structural and electrical investigation of MI2M and MI3M di..:
Nemr Noureddine, I.
;
Sedghi, N.
;
Wrench, J.S.
...
Solid-State Electronics. 194 (2022) - p. 108349 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Single and triple insulator Metal-Insulator-Metal diodes fo..:
Tekin, S.B.
;
Weerakkody, A.D.
;
Sedghi, N.
...
Solid-State Electronics. 185 (2021) - p. 108096 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Applicability of Sc2O3 versus Al2O3 in MIM rectifiers for I..:
Almalki, S.
;
Tekin, S.B.
;
Sedghi, N.
..
Solid-State Electronics. 184 (2021) - p. 108082 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
Fabrication and modelling of MInM diodes with low turn-on v..:
Nemr Noureddine, I.
;
Sedghi, N.
;
Wrench, J.
...
Solid-State Electronics. 184 (2021) - p. 108053 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
Brain predictive coding processes are associated to COMT ge..:
Bonetti, L.
;
Bruzzone, S.E.P.
;
Sedghi, N.A.
...
NeuroImage. 233 (2021) - p. 117954 , 2021
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
Controlled modification of resonant tunneling in metal-insu..:
Mitrovic, I. Z.
;
Weerakkody, A. D.
;
Sedghi, N.
...
Applied Physics Letters. 112 (2018) 1 - p. , 2018
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
7
The role of nitrogen doping in ALD Ta2O5 and its influence ..:
Sedghi, N.
;
Li, H.
;
Brunell, I. F.
...
Applied Physics Letters. 110 (2017) 10 - p. , 2017
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
8
Enhanced switching stability in Ta2O5 resistive RAM by fluo..:
Sedghi, N.
;
Li, H.
;
Brunell, I. F.
...
Applied Physics Letters. 111 (2017) 9 - p. , 2017
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
9
Comparative analysis of the effects of tantalum doping and ..:
Partida-Manzanera, T.
;
Roberts, J. W.
;
Bhat, T. N.
...
Journal of Applied Physics. 119 (2016) 2 - p. , 2016
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
10
Atomic-layer deposited thulium oxide as a passivation layer..:
Mitrovic, I. Z.
;
Hall, S.
;
Althobaiti, M.
...
Journal of Applied Physics. 117 (2015) 21 - p. , 2015
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
11
Enhanced low voltage nonlinearity in resonant tunneling met..:
Weerakkody, A.D.
;
Sedghi, N.
;
Mitrovic, I.Z.
...
Microelectronic Engineering. 147 (2015) - p. 298-301 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
12
Hafnia and alumina on sulphur passivated germanium:
Althobaiti, M.
;
Mather, S.
;
Sedghi, N.
...
Vacuum. 122 (2015) - p. 306-309 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
13
Ge interface engineering using ultra-thin La2O3and Y2O3film..:
Mitrovic, I. Z.
;
Althobaiti, M.
;
Weerakkody, A. D.
...
Journal of Applied Physics. 115 (2014) 11 - p. 114102 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
14
Interface engineering of Ge using thulium oxide: Band line-..:
Mitrovic, I.Z.
;
Althobaiti, M.
;
Weerakkody, A.D.
...
Microelectronic Engineering. 109 (2013) - p. 204-207 , 2013
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
15
Electron trapping at the high-κ/GeO2 interface: The role of..:
Sedghi, N.
;
Ralph, J. F.
;
Mitrovic, I. Z.
..
Applied Physics Letters. 102 (2013) 9 - p. , 2013
Link:
https://doi.org/10.1063/..
1-15