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Shinichi, N.
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1
SAT-266 EVALUATION OF AORTIC CALCIFICATION VOLUME AND SITES..:
Fujii, H.
;
Kono, K.
;
Goto, S.
...
Kidney International Reports. 4 (2019) 7 - p. S118 , 2019
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
EP06.01: Evaluation of fetal computed tomography and ultras..:
Shinichi, N.
;
Kobori, S.
;
Toshimitsu, M.
..
Ultrasound in Obstetrics & Gynecology. 52 (2018) S1 - p. 211-212 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1002/..
?
3
908 Percutaneous transesophageal gastrotubing for patients ..:
Shinya, U.
;
Shinichi, N.
;
Tutomu, S.
...
European Journal of Cancer. 51 (2015) - p. S142 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
Low-Frequency Electric Field Treatment of Twisted Smectic C..:
MITANI, MAKOTO
;
KURATA, YUYA
;
TAKAKURA, KAZUNORI
.
Ferroelectrics. 313 (2004) 1 - p. 55-62 , 2004
Link:
https://doi.org/10.1080/..
?
5
AlGaInP / AlGaAs double heterostructure light emitting diod..:
Takahashi, N.Shinichi
;
Fujiwara, Shuta
;
Kohno, Kaoru
..
Journal of Crystal Growth. 137 (1994) 1-2 - p. 240-244 , 1994
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
Linear and Nonlinear Operations of Optically Addressed Spat..:
Masuda, Taro
;
Oyama, Tsuyoshi
;
Hamada, Shouji
...
Japanese Journal of Applied Physics. 33 (1994) 4A - p. L523 , 1994
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
7
Tristable Operation of Antiferroelectric Liquid Crystal Lig..:
Oyama, Tsuyoshi
;
Masuda, Tarou
;
Hamada, Shouji
...
Japanese Journal of Applied Physics. 32 (1993) 5A - p. L668 , 1993
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
8
Properties of Manganese‐Doped InGaAsP Grown on GaAs Substra..:
Ishikawa, Joji
;
Takahashi, N. Shin‐ichi
;
Ito, Toshio
..
Journal of The Electrochemical Society. 137 (1990) 1 - p. 343-345 , 1990
Link:
https://doi.org/10.1149/..
?
9
New double-heterostructure indium-tin oxide/InGaAsP/AlGaAs ..:
Ishikawa, Joji
;
Funyu, Yasuhito
;
Yonezawa, Rumiko
...
Journal of Applied Physics. 66 (1989) 5 - p. 2181-2185 , 1989
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
10
Effect of InGaAsP surface treatment for indium-tin-oxide/In..:
Matsubara, Shuichi
;
Narui, Hironobu
;
Tsuchiya, Naoki
..
Journal of Applied Physics. 66 (1989) 7 - p. 3337-3341 , 1989
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
11
Lasing characteristics of 0.8-μm InGaAsP/GaAs lasers fabric..:
Ishikawa, Joji
;
Ito, Toshio
;
Oh-iso, Yoshitaka
...
Journal of Applied Physics. 65 (1989) 10 - p. 3767-3772 , 1989
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
12
AlGaAs burying growth for InGaAsP/GaAs buried heterostructu..:
Ishikawa, Joji
;
Tayama, Satoshi
;
Ito, Toshio
..
Journal of Crystal Growth. 94 (1989) 4 - p. 911-918 , 1989
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
13
A simple method for monolithic fabrication of InGaAsP/GaAs ..:
Ito, Toshio
;
Ishikawa, Joji
;
Aramaki, Takashi
...
Journal of Applied Physics. 64 (1988) 5 - p. 2770-2772 , 1988
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
14
High-speed light valve using an amorphous silicon photosens..:
Takahashi, N. Shin-ichi
;
Asada, Hideki
;
Miyahara, Masaki
..
Applied Physics Letters. 51 (1987) 16 - p. 1233-1235 , 1987
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
15
n-ITO/p-InGaAsP Solar Cell Fabricated on GaAs Substrate:
Narui, Hironobu
;
Matsubara, Shuichi
;
Takahashi, N. Shin-ichi
.
Japanese Journal of Applied Physics. 26 (1987) 2A - p. L91 , 1987
Link:
https://doi.org/10.1143/..
1-15