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Open Access in Bremen
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Sonobayashi, Yutaka
9
Ergebnisse:
Personensuche
X
Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
Correlation analysis with measurement conditions and peak s..:
Murakami, Ryo
;
Harada, Yoshitomo
;
Sonobayashi, Yutaka
...
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 264 (2023) - p. 147298 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Oxygen-Induced Barrier Failure in Ti-Based Self-Formed and ..:
Ito, Kazuhiro
;
Kohama, Kazuyuki
;
Hamasaka, Keiji
...
Japanese Journal of Applied Physics. 51 (2012) 4S - p. 04DB06 , 2012
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
3
Oxygen-Induced Barrier Failure in Ti-Based Self-Formed and ..:
Ito, Kazuhiro
;
Kohama, Kazuyuki
;
Hamasaka, Keiji
...
Japanese Journal of Applied Physics. 51 (2012) 4S - p. 04DB06 , 2012
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
4
Structure Analyses of Ti-Based Self-Formed Barrier Layers:
Kohama, Kazuyuki
;
Ito, Kazuhiro
;
Sonobayashi, Yutaka
...
Japanese Journal of Applied Physics. 50 (2011) 4S - p. 04DB03 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
5
Molecular packing density of a self-assembled monolayer for..:
Sugimura, Hiroyuki
;
Moriguchi, Takahiro
;
Kanda, Masao
...
Chemical Communications. 47 (2011) 31 - p. 8841 , 2011
Link:
https://doi.org/10.1039/..
?
6
Structure Analyses of Ti-Based Self-Formed Barrier Layers:
Kohama, Kazuyuki
;
Ito, Kazuhiro
;
Sonobayashi, Yutaka
...
Japanese Journal of Applied Physics. 50 (2011) 4S - p. 04DB03 , 2011
Link:
https://doi.org/10.7567/..
?
7
Effects of Pore Sealing on Self-Formation of Ti-Rich Barrie..:
Kohama, Kazuyuki
;
Ito, Kazuhiro
;
Sonobayashi, Yutaka
...
Japanese Journal of Applied Physics. 49 (2010) 4S - p. 04DB09 , 2010
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
8
Highly Crystalline Chlorapatite Films Prepared by the Evapo..:
Teshima, Katsuya
;
Sakurai, Mitsuo
;
Yubuta, Kunio
...
Crystal Growth & Design. 8 (2008) 8 - p. 2595-2597 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1021/..
?
9
Wettability control of photocatalytic crystal layers by hyd..:
Teshima, Katsuya
;
Suzuki, Sayaka
;
Yubuta, Kunio
...
Surface and Coatings Technology. 203 (2008) 5-7 - p. 812-815 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-9
