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Stoklas, R
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1
Electron transport properties in thin InN layers grown on I..:
Stoklas, R.
;
Hasenöhrl, S.
;
Dobročka, E.
..
Materials Science in Semiconductor Processing. 155 (2023) - p. 107250 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Investigation of self-nucleated skyrmion states in the ferr..:
Vetrova, Iu. V.
;
Zelent, M.
;
Šoltýs, J.
...
Applied Physics Letters. 118 (2021) 21 - p. , 2021
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
3
Semi-insulating GaN for vertical structures: role of substr..:
Šichman, P.
;
Hasenöhrl, S.
;
Stoklas, R.
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 118 (2020) - p. 105203 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
4
Investigation of interfaces and threshold voltage instabili..:
Pohorelec, O.
;
Ťapajna, M.
;
Gregušová, D.
...
Applied Surface Science. 528 (2020) - p. 146824 , 2020
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
Characterization of interface states in AlGaN/GaN metal-oxi..:
Stoklas, R.
;
Gregušová, D.
;
Hasenöhrl, S.
...
Applied Surface Science. 461 (2018) - p. 255-259 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
Technology and application of in-situ AlOx layers on III-V ..:
Kúdela, R.
;
Šoltýs, J.
;
Kučera, M.
...
Applied Surface Science. 461 (2018) - p. 33-38 , 2018
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
7
Properties of InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heteros..:
Gregušová, D.
;
Gucmann, F.
;
Kúdela, R.
...
Applied Surface Science. 395 (2017) - p. 140-144 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
8
Temperature-induced instability of the threshold voltage in..:
Florovič, M
;
Stoklas, R
;
Kováč, J
.
Semiconductor Science and Technology. 32 (2017) 2 - p. 025017 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
9
Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxi..:
Stoklas, R
;
Gregušová, D
;
Blaho, M
...
Semiconductor Science and Technology. 32 (2017) 4 - p. 045018 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1088/..
?
10
Investigation of 'surface donors' in Al2O3/AlGaN/GaN metal-..:
Ťapajna, M.
;
Stoklas, R.
;
Gregušová, D.
...
Applied Surface Science. 426 (2017) - p. 656-661 , 2017
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
11
Origin of positive fixed charge at insulator/AlGaN interfac..:
Matys, M.
;
Stoklas, R.
;
Blaho, M.
.
Applied Physics Letters. 110 (2017) 24 - p. , 2017
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
12
Characterization of capture cross sections of interface sta..:
Matys, M.
;
Stoklas, R.
;
Kuzmik, J.
...
Journal of Applied Physics. 119 (2016) 20 - p. , 2016
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
13
On the origin of interface states at oxide/III-nitride hete..:
Matys, M.
;
Adamowicz, B.
;
Domanowska, A.
...
Journal of Applied Physics. 120 (2016) 22 - p. , 2016
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
14
Low- and high-frequency capacitance of aluminum gallium nit..:
Osvald, J.
;
Stoklas, R.
;
Kordoš, P.
Materials Science in Semiconductor Processing. 31 (2015) - p. 525-529 , 2015
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
15
InGaAs/GaAs metal-oxide-semiconductor heterostructure field..:
Gucmann, F.
;
Gregušová, D.
;
Stoklas, R.
...
Applied Physics Letters. 105 (2014) 18 - p. 183504 , 2014
Link:
https://doi.org/10.1063/..
1-15