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Tsuchida, Hidekazu
180
Ergebnisse:
Personensuche
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Format
Online (180)
Medientypen
Artikel (Online) (170)
OpenAccess-Volltexte (10)
Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
Advances in fast 4H–SiC crystal growth and defect reduction..:
Tsuchida, Hidekazu
;
Kanda, Takahiro
Materials Science in Semiconductor Processing. 176 (2024) - p. 108315 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
2
Aluminum channeling in 4H-SiC by high-energy implantation a..:
Belanche, Manuel
;
Yonezawa, Yoshiyuki
;
Heller, René
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 179 (2024) - p. 108461 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Formation of basal plane dislocations by stress near epilay..:
Fujie, Fumihiro
;
Shiono, Tsubasa
;
Murata, Koichi
...
Journal of Applied Physics. 135 (2024) 23 - p. , 2024
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
4
Modeling of Stacking Faults in 4H-SiC n-Type Epilayer for T..:
Asada, Satoshi
;
Murata, Koichi
;
Tsuchida, Hidekazu
IEEE Transactions on Electron Devices. 70 (2023) 4 - p. 1757-1762 , 2023
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
5
Optically detected magnetic resonance of silicon vacancies ..:
Motoki, Shu
;
Sato, Shin-ichiro
;
Saiki, Seiichi
...
Journal of Applied Physics. 133 (2023) 15 - p. , 2023
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
6
Quality Evaluation of 150 mm 4H-SiC Grown at over 1.5 mm/h ..:
Okamoto, Takeshi
;
Uehigashi, Hideyuki
;
Kanda, Takahiro
...
Solid State Phenomena. 342 (2023) - p. 105-112 , 2023
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
7
Experimental determination of intrinsic carrier density in ..:
Asada, Satoshi
;
Murata, Koichi
;
Tanaka, Hajime
.
Journal of Applied Physics. 134 (2023) 23 - p. , 2023
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
8
Investigation of propagation and coalescence of threading s..:
Kamata, Isaho
;
Hoshino, Norihiro
;
Betsuyaku, Kiyoshi
..
Journal of Crystal Growth. 590 (2022) - p. 126676 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Limited current conduction due to various types of stacking..:
Asada, Satoshi
;
Murata, Koichi
;
Tsuchida, Hidekazu
Applied Physics Express. 15 (2022) 4 - p. 045502 , 2022
Link:
https://doi.org/10.35848..
?
10
Mechanical-stressing measurements of formation energy of si..:
Maeda, Koji
;
Murata, Koichi
;
Kamata, Isaho
.
Applied Physics Express. 14 (2021) 4 - p. 044001 , 2021
Link:
https://doi.org/10.35848..
?
11
Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultan..:
Yamazaki, Yuichi
;
Chiba, Yoji
;
Sato, Shin-ichiro
...
Applied Physics Letters. 118 (2021) 2 - p. , 2021
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
12
Reduction in dislocation densities in 4H-SiC bulk crystal g..:
Hoshino, Norihiro
;
Kamata, Isaho
;
Kanda, Takahiro
...
Applied Physics Express. 13 (2020) 9 - p. 095502 , 2020
Link:
https://doi.org/10.35848..
?
13
Direct nitridation of 4H-SiC(0001) surface by H2/N2 treatme..:
Murata, Koichi
;
Mori, Daisuke
;
Tsuji, Hidenori
...
Applied Physics Express. 13 (2020) 9 - p. 095506 , 2020
Link:
https://doi.org/10.35848..
?
14
Formation of Double Shockley Stacking Faults in Heavily Nit..:
Sugiyama, Naohiro
;
Mitani, Takeshi
;
Kamata, Isaho
...
Materials Science Forum. 1004 (2020) - p. 427-432 , 2020
Link:
https://doi.org/10.4028/..
?
15
Effects of stacking faults on electron transport in 4H-SiC ..:
Asada, Satoshi
;
Miyazawa, Tetsuya
;
Tsuchida, Hidekazu
Japanese Journal of Applied Physics. 59 (2020) 5 - p. 054003 , 2020
Link:
https://doi.org/10.35848..
1-15