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Volkos, S. N.
19
Ergebnisse:
Personensuche
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Format
Online (19)
Medientypen
Artikel (Online) (15)
OpenAccess-Volltexte (4)
Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
?
1
O3-based atomic layer deposition of hexagonal La2O3 films o..:
Lamagna, L.
;
Wiemer, C.
;
Perego, M.
...
Journal of Applied Physics. 108 (2010) 8 - p. , 2010
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
2
Erratum to "Infrared spectroscopy and X-ray diffraction stu..:
Tsoutsou, D.
;
Scarel, G.
;
Debernardi, A.
...
Microelectronic Engineering. 86 (2009) 10 - p. 2138 , 2009
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Atomic layer deposition of LaxZr1−xO2−δ (x=0.25) high-k die..:
Tsoutsou, D.
;
Lamagna, L.
;
Volkos, S. N.
...
Applied Physics Letters. 94 (2009) 5 - p. , 2009
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
4
Infrared spectroscopy and X-ray diffraction studies on the ..:
Tsoutsou, D.
;
Scarel, G.
;
Debernardi, A.
...
Microelectronic Engineering. 85 (2008) 12 - p. 2411-2413 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
5
Reliability degradation of thin HfO2/SiO2 gate stacks by re..:
Efthymiou, E.
;
Bernardini, S.
;
Zhang, J.F.
...
Thin Solid Films. 517 (2008) 1 - p. 207-208 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
6
Nanoscale electrical characterization of ultrathin high-k d..:
Uppal, H.J.
;
Bernardini, S.
;
Efthymiou, E.
...
Materials Science in Semiconductor Processing. 11 (2008) 5-6 - p. 250-253 , 2008
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
7
Germanium-induced stabilization of a very high-k zirconia p..:
Tsipas, P.
;
Volkos, S. N.
;
Sotiropoulos, A.
...
Applied Physics Letters. 93 (2008) 8 - p. , 2008
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
8
Reliability nano-characterization of thin SiO2 and HfSixOy/..:
Efthymiou, E.
;
Bernardini, S.
;
Volkos, S.N.
...
Microelectronic Engineering. 84 (2007) 9-10 - p. 2290-2293 , 2007
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
9
Vibrational and electrical properties of hexagonal La2O3 fi..:
Scarel, G.
;
Debernardi, A.
;
Tsoutsou, D.
...
Applied Physics Letters. 91 (2007) 10 - p. , 2007
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
10
Extrinsic stacking fault generation related to high–k diele..:
Volkos, S.N.
;
Bernardini, S.
;
Rigopoulos, N.
...
Microelectronic Engineering. 84 (2007) 9-10 - p. 2374-2377 , 2007
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
11
Erratum: "Vibrational and electrical properties of hexagona..:
Scarel, G.
;
Debernardi, A.
;
Tsoutsou, D.
...
Applied Physics Letters. 91 (2007) 18 - p. , 2007
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
12
The impact of negative-bias-temperature-instability on the ..:
Volkos, S. N.
;
Efthymiou, E. S.
;
Bernardini, S.
...
Journal of Applied Physics. 100 (2006) 12 - p. , 2006
Link:
https://doi.org/10.1063/..
?
13
Negative-bias-temperature-instability in metal–insulator–se..:
Volkos, S.N.
;
Peaker, A.R.
;
Hawkins, I.D.
..
Materials Science and Engineering: B. 109 (2004) 1-3 - p. 127-130 , 2004
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
14
O-3-based atomic layer deposition of hexagonal La2O3 films ..:
Lamagna, L
;
Wiemer, C
;
Perego, M
...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1063/1.3499258. , 2010
Link:
https://hal.archives-ouv..
?
15
O-3-based atomic layer deposition of hexagonal La2O3 films ..:
Lamagna, L
;
Wiemer, C
;
Perego, M
...
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1063/1.3499258. , 2010
Link:
https://hal.science/hal-..
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