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Waschneck, K.
2
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Sortierung: Relevanz
Sortierung: Jahr
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1
A Recombination-Enhanced-Defect-Reaction-Based Model for th..:
, In:
2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS)
,
Grasser, T.
;
Feil, M.
;
Waschneck, K.
... - p. 3B.1-1-3B.1-7 , 2024
Link:
https://doi.org/10.1109/..
?
2
Gate-switching-stress test: Electrical parameter stability ..:
Salmen, P.
;
Feil, M.W.
;
Waschneck, K.
...
Microelectronics Reliability. 135 (2022) - p. 114575 , 2022
Link:
https://doi.org/10.1016/..
1-2
