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Yano, Ei
46
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Artikel (Online) (42)
OpenAccess-Volltexte (4)
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Sortierung: Jahr
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1
A Resolution Enhancement Material for 193-nm Lithography Co..:
Nozaki, Koji
;
Igarashi, Miwa
;
Yano, Ei
...
Journal of Photopolymer Science and Technology. 24 (2011) 6 - p. 657-665 , 2011
Link:
https://doi.org/10.2494/..
?
2
Imaging results for resist films exposed to EUV radiation:
Ryoo, Manhyoung
;
Shirayone, Shigeru
;
Yano, Ei
..
Microelectronic Engineering. 61-62 (2002) - p. 723-728 , 2002
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
3
Evaluation of the Outgassing from Resists at the EUV Wavele..:
Irie, Shigeo
;
Oizumi, Hiroaki
;
Nishiyama, Iwao
...
Journal of Photopolymer Science and Technology. 14 (2001) 4 - p. 561-565 , 2001
Link:
https://doi.org/10.2494/..
?
4
Development of Resist Materials for EUVL:
Irie, Shigeo
;
Shirayone, Shigeru
;
Mori, Shigeyasu
...
Journal of Photopolymer Science and Technology. 13 (2000) 3 - p. 385-389 , 2000
Link:
https://doi.org/10.2494/..
?
5
High etch-resistant EB resists employing adamantyl protecti..:
Nozaki, Koji
;
Kon, Jun-ichi
;
Yano, Ei
Journal of Photopolymer Science and Technology. 13 (2000) 3 - p. 397-403 , 2000
Link:
https://doi.org/10.2494/..
?
6
Theoretical estimation of absorption coefficients of variou..:
Matsuzawa, Nobuyuki N.
;
Oizumi, Hiroaki
;
Mori, Shigeyasu
...
Microelectronic Engineering. 53 (2000) 1-4 - p. 671-674 , 2000
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
7
Prediction of resolution using wet-develop type single laye..:
Mori, Shigeyasu
;
Shirayone, Shigeru
;
Irie, Shigeo
...
Microelectronic Engineering. 53 (2000) 1-4 - p. 689-692 , 2000
Link:
https://doi.org/10.1016/..
?
8
Theoretical Calculation of Photoabsorption of Various Polym..:
Matsuzawa, Nobuyuki N.
;
Oizumi, Hiroaki
;
Mori, Shigeyasu
...
Japanese Journal of Applied Physics. 38 (1999) 12S - p. 7109 , 1999
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
9
Theoretical Estimation of Absorption Coefficients of Variou..:
Matsuzawa, Nobuyuki N.
;
Oizumi, Hiroaki
;
Mori, Shigeyasu
...
Journal of Photopolymer Science and Technology. 12 (1999) 4 - p. 571-576 , 1999
Link:
https://doi.org/10.2494/..
?
10
Evaluation of Alicyclic Methacrylate Resist with a .GAMMA.-..:
Nozaki, Koji
;
Yano, Ei
Journal of Photopolymer Science and Technology. 11 (1998) 3 - p. 493-498 , 1998
Link:
https://doi.org/10.2494/..
?
11
New Protective Groups in Alicyclic Methacrylate Polymers fo..:
Nozaki, Koji
;
Yano, Ei
Journal of Photopolymer Science and Technology. 10 (1997) 4 - p. 545-550 , 1997
Link:
https://doi.org/10.2494/..
?
12
Post-Exposure-Bake Simulation Model with Constant Acid Loss..:
Yanagishita, Yuichiro
;
Miyata, Shuichi
;
Kaimoto, Yuko
...
Japanese Journal of Applied Physics. 36 (1997) 12S - p. 7611 , 1997
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
13
Impact of 2-Methyl-2-Adamantyl Group Used for 193-nm Single..:
Takechi, Satoshi
;
Takahashi, Makoto
;
Kotachi, Akiko
...
Journal of Photopolymer Science and Technology. 9 (1996) 3 - p. 475-488 , 1996
Link:
https://doi.org/10.2494/..
?
14
A New Single-Layer Resist for 193-nm Lithography:
Nozaki, Koji
;
Watanabe, Keiji
;
Namiki, Takahisa
...
Japanese Journal of Applied Physics. 35 (1996) 4B - p. L528 , 1996
Link:
https://doi.org/10.1143/..
?
15
A Novel Polymer for a 193-nm Resist:
NOZAKI, KOJI
;
WATANABE, KEIJI
;
YANO, EI
...
Journal of Photopolymer Science and Technology. 9 (1996) 3 - p. 509-522 , 1996
Link:
https://doi.org/10.2494/..
1-15